二极管的基础知识

二极管的基础知识部门：OEM/ODM制作人：谷春垒日期：2016-02-22摘要（Summary）：

※半导体器件基础知识

※二极体原理与应用

※二极体分类与主要参数

※常见二极体芯片结构与工艺流程

※半导体器件基础知识物质按导电性能可划分为：导体—一般为低价元素，如铜、铁、铝等金属元素。导电率为105量纲级。导电能力强。

绝缘体

—一般为高价元素，如：橡胶、云母、塑料等。导电率为10-22~10-14

量纲级。导电能力弱。半导体—一般为四价元素，如：硅（Si）锗（Ge）等。导电性能介于导体和绝缘体之间。且导电能力随条件变化。1.1半导体材料半导体物质特性：掺入杂质则导电率显著增加掺杂特性半导体器件温度增加使导电率大为增加温度特性热敏器件光照不仅大为增加导电率还可产生电动势光照特性光敏器件、光电器件完全纯净、结构完整的半导体晶体被称为本征半导体。本征半导体在物理结构上呈单晶体形态。（见左下图）本征半导体本征半导体：常用的本征半导体：硅（Si），锗（Ge）本征半导体的晶体结构Si+14284Ge+3228184+4常见本征半导体的原子结构简化模型+4+4+4+4+4+4+4+4+41.在T=0K，且无外部激发能量时：本征半导体的导电特性:常见本征半导体晶体结构平面示意图本征半导体内部没有能够自由移动的带电粒子，即载流子，此时本征半导体呈绝缘特性。+4+4+4+4+4+4+4+4+42.在有外部激发能量（如温度升高，光照）时：挣脱原子核束缚的电子称为自由电子，在本征激发下形成带负电荷的载流子。留下的空位称为空穴，成为带正电荷的载流子。本征半导体的载流子在外加电场的作用下可定向移动形成漂移电流。共价键内的电子称为束缚电子杂质半导体N（电子）型半导体(掺入的五价元素如P、Se等)杂质半导体P（空穴）型半导体(掺入的三价元素如B、Al、In等)掺入杂质越多，导电性能越强(1)在PN结外加上正向电压时：PN结正偏（P(+),N(-)）时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻，PN结导通。2.PN结的单向导电性以上所讨论的PN结处于平衡状态，称为平衡PN结。如在PN结两端外加不同方向电压，就会破坏原平衡，呈现出单向导电性。(2)在PN结外加上反向电压时：PN结反偏（P(-),N(+)）时，仅有很小的反向漂移电流，呈现高电阻，PN结截止。结论：

PN结加正向电压，即正偏时，有较大的正向扩散电流，此时PN结电阻小，处于导通状态，此时的正向电流随着PN结两端的电压增大而增大；PN结加反向电压，即反偏时，只有很小的，不随PN结两端电压变化的反向饱和电流，此时PN结电阻大，处于截止状态。即PN结具有单向导电性能。

二极管：一个PN结就是一个二极管。单向导电：二极管正极接电源正极，负极接电源负极时电流可以通过。反之电流不能通过。符号：※二极体原理与应用15二极体的实际特性116二极体的实际特性217二極體在切換式電源上的應用※二极体分类与主要参数

在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。GPP芯片基本结构镍、金Glass镍、金SIPOS※常见二极体芯片结构与工艺流程Schottky芯片基本结构Mo、Pt、TiNi、AgNi、AgTVS芯片结构(Mesa)PNi、Au氧化物GlassN+NP+Ni、AuP氧化物Ni、AuGlassN+NNN+氧化物Ni、AuGlass单向双向ZENER\TVS芯片结构(Planar)PTi、Ni、Ag（Au）氧化物Ti、Ni、