1200V的E3和T3芯片的差别

12KT3与12KE3的区别1、芯片技术方面第三代现有1200VIGBT模块产品系列（IGBT3）-E3已被进一步优化扩展，其结果是T3IGBT。T3IGBT在集电极-发射极饱和电压（VCEsat品体管）和关断损耗（的Eoff）方面都有减少。（有关IGBT3的详细信息可以查询应用笔记AN2003-03）IG日IG日T—IGBT2-DL-1IGBT3-TT-BIGBI'2-0N2「7BT2^KS4123SaturationvoltageVCEsi[V]图1.11200V系列IGBT总开关损耗与饱和电压比较。T3产品在更高的开关频率上进行了优化。在较高的电流密度下减少的损耗可以推广到IGBT3模块的产品系列。2、输出特性图2.1显示了T3和E3IGBT的典型输出特性。

在结温TVJ=25°C时，E3与T3之间没有区别，两个系列的IGBT3在集电极-发射极饱和电压（典型值）的值显示为VCEsat=1.7V。当在最大值时，从T3的IGBT的输出特性图可以看出，在结温Tvjop=125°C和相同标称额定电流（ICnom）条件下，与E3相比，集电极-发射极饱和电压（VCEsat）大约降低了100mV左右。3、开关特性3.1导通两种IGBT3的导通开关特性如图3.1.1与3.1.2所示。可以看出，两种系列的IGBT3开关特性基本相同。

Figure3.1.1.nun-on(typical)FS75R12KT3IGBT3T3FS75R12KT3Figure3.1.1.nun-on(typical)FS75R12KT375AEon=6,3inJdi/dt=2,4kA/psdv/dt--2.8k\7psFigure3.1.2.tmii-onitvuical)FS75R12KE33.2导通损耗VDC：-600V%=Rgnom=4,7QEon=6.2mJdi/dt=3.6kA4isdvdt=-2.9kVz|is以FS75R12KE3和FS75R12KT3为例，E3Eon=6,3inJdi/dt=2,4kA/psdv/dt--2.8k\7psFigure3.1.2.tmii-onitvuical)FS75R12KE33.2导通损耗导通损耗基本相同。Figure3.2.1Figure3.2.1.turn-onlosses(typical)E3vs.T33.3关断特性IGBT3的典型关断特性如图3.3.1与3.3.2所示。可以看出，在两个芯片的关断过程中，IGBT3-E3的关断特性更"软"。Figure3.3.1.umi-off(Tyi)kal)FS75R12KT3IGB1313FS75R12KT3L叩=1河上=75AVdc=&)0V七=临岫=4一0Eoff=8mJdi/dt=-Q.45LVpsdv.dt=3RkV仙

IGBl^E3FS75R12KE3晶=Figure3.3.1.umi-off(Tyi)kal)FS75R12KT3IGBl^E3FS75R12KE3晶=1糜Vdc=600Vg=4S7QEoff=1InUdi/dt=-€J9kA/^isd伊dt=3.1Wwclii：15DIHVVI汕ns~<loonivI1.00VCR35.00VT6KRLII1：50UMS/SFigLiiE3.3.2.tnnpo任(typifM)FS75R12KES■标_呻,所II”，m・l-t---T3IGBT的总关断损耗要比E3更低，图3.4.1是以FS75R12KE3和FS7512KT3为例，总关断损耗与集电极电流的特性。E面=f(lc)@(FS75R12KE3E面=f(lc)@(FS75R12KE3/FS75R12KT3)lc[A]Bild3.4.1Ab^chultveiluste(Typisch)E3vs.T316014FS75R12KE3_Eoff—■FS75R12KT3PoffW1糜Rg=Rooe__Vge=±I5V在标称条件下，T3IGBT模块的关断损耗(FS75R12KT3的Eoff=8.1mJ)大约比E3的IGBT模块低17%(FS75R12KE3的Eoff=9.5mJ)。为了优化使用IGBT3-T3低损耗的优势，是需要减小应用的杂散电感，因为IGBT3-T3具