纳米器件工艺概论课件_第1页
纳米器件工艺概论课件_第2页
纳米器件工艺概论课件_第3页
纳米器件工艺概论课件_第4页
纳米器件工艺概论课件_第5页
已阅读5页，还剩6页未读， 继续免费阅读

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

1、纳米器件工艺概论,1,2.6 纳米器件工艺概论,在纳米器件领域内采用的主要加工技术是激光、x线、离子束和电子束等技术。,A. 三束离子,纳米器件工艺概论,2,电子束曝光技术：扫描电子束的直径可达5nm (通过提高电子显微镜的加速能量来实现)；曝光分辨率在采用有机感光胶 时可达10nm, 这已经实用化了。如果采用无机感光胶和STEM系统, 曝光分辨率甚至可以达到1nm。 离子束曝光技术：聚焦离子束的直径可达8nm；曝光分辨率可达8nm 。 利用STM：细小探针可实现对原子、分子的直接操纵, 可改造和控制表面；分辩率可达到0.1nm (横向) 和0.01nm (纵向)。虽然该技术对器件的制造无太大

2、的实用价值, 但是对人工表面的研究, 对新现象、新器件的研究, 具有重要的意义。,纳米器件工艺概论,3,B.采用电子束曝光或电子束刻蚀技术来制作量子结构,KOH对Si具有较好的各向异性腐蚀性质： 当Si是(110)面时, 对方向的线条, 可得到垂直的断面。 当Si是(100)面时, 可腐蚀出台形的断面。,纳米器件工艺概论,4,纳米器件工艺概论,5,C.采用聚焦离子束（FIB）加工技术来制作量子结构,纳米器件工艺概论,6,D.采用扫描隧道显微镜 (STM) 技术来制作量子结构,应用探针一个一个地提起物理吸附在表面上的原子 (通过原子之间力的作用)。 应用探针 (其上加有脉冲电压) 一个一个地拔取

3、表面层的原子 (基于电场蒸发原理)。 应用探针 (加有脉冲电压) 一个一个地去掉化学吸附在表面上的原子 (基于隧穿电子引起化学反应的腐蚀作用)。,纳米器件工艺概论,7,STM单原子操纵和纳米加工技术,STM的针尖可以成像，可以操纵表面上的原子或分子。 （1）针尖下移，使针尖顶部的原子和表面上的原子的“电子云”重叠，有的电子为双方共享，就会产生一种与化学键相似的力，以操纵表面上的原子。 （2）针尖和表面之间加上一定的能量，如电场蒸发，电流激励，光子激励等能量方式来有效地操纵表面原子。,STM原子操纵与蚀刻,纳米器件工艺概论,8,硅111面77原子重构象,纳米器件工艺概论,9,STM技术与其他技术

4、结合起来而实现纳米结构,H2O作为电解质，利用阳极氧化技术， STM探针把Ti膜氧化成TiOx，可作出10nm宽的TiOx线。TiOx具有较小于TiO2的，较小 （减小电容）。,纳米器件工艺概论,10,第二章 作业 1.久保理论包含的内容是什么？为什么在低温下，热的涨落很难改变纳米微粒的电中性？ 2.纳米金属微粒由导体转变为绝缘体的条件是什么？ 3.试比较纳米微粒的量子尺寸效应和小尺寸效应。 4.什么是库仑堵塞效应？观察到库仑堵塞和量子隧穿的条件是什么？为什么隧道结的等效电阻R必须大于量子电阻(26k)? 5.什么是宏观量子隧穿效应?试举例说明。 6.画出单隧道结堵塞与隧穿的I-V曲线、I-t曲线和V-t曲线，标出堵塞区 7.简要说明 “单电子岛-双隧道结”结构的SET器件的Coulomb台阶

人人文库> 全部分类> 行业资料 > 管理策划

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论