一种典型半导体材料-SiC (2)课件

SchoolofinformationScience&EngineeringSHANDONGUNIVERSITYCHINASiC半导体材料目录1.SiC材料的简介2.SiC衬底的制备3.SiC外延制备方法4.SiC光电器件的简介5.SiC紫外探测器的制备6.SiC光电器件的前景1.SiC材料的简介

随着第一代和第二代半导体材料发展的成熟，其器件应用也趋于极限。现代科技越来越多的领域需要高频率，高功率，耐高温，化学稳定性好的第三代半导体。而作为第三代半导体优秀代表的SiC（siliconcarbide），越来越多得受到人们的关注。

2.SiC衬底的制备SiC单晶衬底：本征型、N型掺杂、P型掺杂。

N型掺杂：氮NP型掺杂：铝Al、硼B、铍Be、镓Ga、氧O。2.SiC衬底的制备

物理气相传输法（

PVT，physical

vapor

transport）又称升华法，又称改良的Lely法，是制备SiC等高饱和蒸汽压、高熔点半导体材料的有效的方法。

美国Cree公司1997年实现2英寸6H-SiC单晶的市场化，近两年已实现4英寸6H-SiC单晶的市场化，目前占据全球市场的85％。国内在SiC生长起步较晚，目前主要是山东大学、中科院上海硅酸盐研究所、中科院物理所等单位开展SiC单晶生长制备技术研究，山东大学2007年在实验室生长出了3英寸6H-SiC单晶。

2.SiC衬底的制备物理气相传输法（PVT）：核心装置如右图所示：SiC原料的升华和晶体的再生长在一个封闭的石墨坩埚内进行，坩埚处于高温非均匀热场中。SiC原料部分处于高温中，温度大约在2400~2500摄氏度。碳化硅粉逐渐分解或升华，产生Si和Si的碳化物混合蒸汽，并在温度梯度的驱使下向粘贴在坩埚低温区域的籽晶表面输送，使籽晶逐渐生长为晶体。3.SiC外延制备方法外延：在一定取向的单晶基板上，生长出的晶体与基板保持一定的晶体学取向关系，这种晶体生长叫做外延。同质外延：外延材料与衬底材料为同一种材料。Si上外延Si异质外延：外延材料与衬底材料在性质上、结构上不同。注意晶格匹配、热膨胀系数匹配。如SiC上外延GaN.3.SiC外延制备方法SiC的外延方法LPE（液相外延）VPE（气相外延）MBE（分子束外延）CVD（化学气相沉积法）实例：CVD法生长N型4H-SiC同质外延实验采用瑞典Epigress公司的VP580水平式低压热壁CVD系统，生长时衬底气浮旋转，以达到生长厚度均匀。衬底为山东大学晶体材料国家重点实验室提供的Si面，偏离（0001）面8°的2英寸n型4H-SiC单晶，载流子浓度约为。3.SiC外延制备方法Si源：硅烷（）C源：丙烷（）N源：氮气（）生长温度：1550摄氏度压强：流程图如下：4.SiC光电器件的简介高功率器件高频高温器件紫外探测器件高击穿电压宽禁带高热导率高电流密度4.SiC光电器件的简介半导体SiC整流器件开关器件BipolardiodesSchottkydiodesUnipolartransistorBipolartransistorPINMOSFETJFETBJTthyristor半绝缘SiCRFtransistorMESFET一些SiC器件：4.SiC光电器件的简介SiC肖特基二极管3英寸SiC的MESFET基片SiC二极管与传统Si二极管的比较6.SiC紫外探测器的制备实例：SiC肖特基紫外光电探测器件的研制。器件制备的半导体材料：4H-SiC；衬底：N+型，电阻率0.014Ω*cm，厚度300um；外延层：N型，掺杂浓度3.3E15/cm3，厚度10um。5.SiC光电器件的前景近年来，Si功率器件结构设计和制造工艺日趋完善，已经接近其材料特性决定的理论极限，依靠Si器件继续完善来提高装置与系统性能的潜力十分有限。随着SiC衬底材料和器件制造工艺如：外延、欧姆接触、氧化及刻蚀等技术上取得的重大进展，SiC在各类新材料中脱颖而出，在整流器、双极晶体管及MOSFET等多种类型的功率开关器件方面取得来令人瞩目的进展。根据预测，到2015年SiC器件市场的规模将达到8亿美元。尽管SiC器件取得了令人鼓舞的进展，已经有了很多实验室产品，而且部分产品已经进入了市场，但是目前存在的几个市场和技术挑战限制了其商品化进程的进一步发展。挑战：1.昂贵的SiC单晶材料。2.单晶材料本身的缺陷，包括微管道、位错等仍会对器件造成影响。3.SiC器件的可靠性问题。4.大功率器件的封装问题。5.SiC光电器件的前景随着各个国家在SiC项目上投入力度的加大，SiC功率器件面临的技术难题正在逐步降低，只要