安徽工业大学2023年~2023年学年第二学期末考试《计算机组成原理》试卷(A)

2023~2023学年第二学期末考试《计算机组成原理试卷〔A〕一、单项选择题〔230分〕1、在串行进位的并行加法器中，影响加法器运算速度的关键因素是〔C 。A、门电路的级延时B、元器件速度C、进位传递延时D、各位加法器速度的不同2、补码的加减法是指〔C〕A、操作数用补码表示，两数相加减，符号位单独处理，减法用加法代替B、操作数用补码表示，符号位和数值位一起参与运算，结果的符号与加减一样C结果的符号在运算中形成D、操作数用补码表示，由数符打算两数的操作，符号位单独处理3、在定点机中执行算术运算时会产生溢出，其缘由是〔D 〕A、主存容量不够B、操作数过大C、操作数地址过大D、运算结果无法表示4、4片74181ALU和1片74182CLA相协作，具有〔D 〕传递功能。A、串行进位 B、组内并行进位，组间串行进位C、组内串行进位，组件并行进位 D、组内、组间均为并行进位5、某计算机存储器按字〔16位〕编址，每取出一条指令后PC值自动加1，说明其指令长度是〔B 〕A、1字节 B、2字节 C、3字节 D、4字节6、在存放器间接寻址方式中，操作数应在〔D 〕中。A、存放器 B、堆栈栈顶 C、累加器 D、主存单元7、程序把握类指令的功能是〔 A 〕A、转变程序执行挨次 B、进展主存和CPU之间的数据传送C、进展CPU和外设之间的数据传送 D、把握进、出栈操作8、以下器件中存取速度最快的是〔A 〕A、Cache B、主存 C、存放器 D、磁盘9、存储器容量为32K×16，则〔C 〕A1632根B3216根C1516根D1615根10、通常计算机的主存储器可承受〔A〕A、RAM和ROM B、ROM C、RAM D、RAM或ROM11、指令存放器的位数取决于〔B 〕A、存储器的容量 B、指令字长 C、机器字长 D、存储字长12、微操作信号发生器的作用是〔D 〕A、从主存中取出指令 B、完成指令操作码的分析功能C、产生把握时序 D、产生各种微操作把握信号13、在微程序把握器中，机器指令与微指令的关系是〔B 〕A、每一条机器指令由一条微指令来执行B、一条机器指令需要假设干条微指令来解释执行C、一段机器指令组成的程序可由一个微程序来执行D、每一条微指令由一条机器指令来解释执行14、DMA方式是在〔A 〕之间建立一条直接数据通路。A、I/O设备和主存 B、两个I/O设备C、I/O设备和CPU D、CPU和主存1、在集中式总线把握中〔C 〕方式响应时间最快。A、链式查询 B、计数器定时查询 C、独立恳求 确定二、填空题〔每空1分，共10分〕1CPU和内存储器组成。2、8位补码定点整数所能表示确实定值最大的负数的值是-128点数的下溢。4、在变址寻址方式中，假设变址存放器的内容是4E3CH，指令中的形式地址是63H，则它对应的有效地址是4E9FH 。5、在双符号位推断溢出的方案中，消灭正溢出时，双符号位应当为01 。6、动态半导体存储器的刷一般有集中刷、和异步刷三种方式。CM是用来存放微程序的。8、微指令分为垂直型微指令和三、推断题〔110分〕1、存储程序的根本含义是将编好的程序和原始数据事先存入主存中〔y 〕大规模集成电路技术把计算机的运算部件和把握部件做在一块集成电路芯片上，这样的芯片叫做单片机〔 x 〕

>[Y]补

，则|X|>|Y|。 〔 x 〕补4、浮点数的取值范围由阶码的位数打算，而浮点数的精度由尾数的位数打算。〔y 〕5、在一条机器指令中可能消灭不止一种寻址方式。 〔 y 〕6、浮点数对阶的原则是：大阶向小阶看齐。 〔 x 〕7、存储周期是指启动一次存储器操作到完成该操作所需的时间。〔 x〕8、断电后，RAM中的数据不会丧失。 〔 x 〕9、指令周期又称为CPU周期。 〔 y 〕10〔x 〕四、简答题〔520分〕1、什么是微命令？什么是微操作？〔5分〕微操作执行部件承受微命令后所进展的操作RISC的设计思想？〔5分〕答：答：RISC构架的指令格式和长度通常是固定的、且指令和寻址方式少而简洁、大多数指令指令可以访问存储器，数据处理指令只对存放器的内容进展操作。为了加速程序的运算，RISC会设定多组的存放器，并且指定特别用途的存放器。3、微程序把握器和硬布线把握器哪一种速度更快？为什么？〔5分〕削减了从把握存储器读取微指令的时间。4、串行总线和并行总线有什么区分？各适用于什么场合？〔5分〕答：并行总线，速度快，传输距离很短。串行总线，速度相对来说慢，但是传输距离很长。12864液晶屏和单片机的数据接口。五、综合题〔1030分〕1X=11000，Y=-11111，用补码阵列乘法器计算[X*Y]程〕

=？〔请写明运算过补1M×8SRAM4MB存储器，问：需要多少片RAM芯片？该存储器需要多少地址位？CPU的接口信号有地址信号、数据信号、把握信号MREQ〔低电平表示访问存储器〕R/W〔高电平表示读，低电平表示写。1〕4M/1M=4SRAM