薄膜太阳能的研究进展

1、薄膜太阳能电池的研究进展 学 院 名 称： 化学工程学院 专 业 名 称： 应用化学 学 生 姓 名： 孙洋洋 学 生 学 号： 201621509008 指 导 教 师： 韩恩山 2016年 11 月 08 日摘 要太阳能电池是一种绿色、高效的新型能源转化设备，而薄膜太阳能电池则是其中研究前景较好、成本较低的新型光伏器件。相比于市面技术较成熟的单晶硅太阳能电池，薄膜太阳能电池有许多优点。主要介绍了硅薄膜太阳能电池、有机薄膜太阳能电池和无机化合物薄膜太阳能电池和染料敏化（二氧化钛、氧化锌)等的研究现状，比较他们各自的优缺点并展望了它们的前景。关键词：薄膜太阳能电池；硅；有机；无机化合物Abst

2、ruct Solar cell is a kind of green and effect new energy conversion equipment,while the thin film solar cell is the one of good prospects for research and lower cost novel photovoltaic device.Compared with the mature silicon solar cells,which the technology is more mature,the thin solar cell have lo

3、ts of advantages.We mainly introduce the research status of Si thin solar cell,organic thin solar cell and inorganic thin solar cell,compared their respective advantages and disadvantages and also prospect their future.Key words：Thin solar cell ; Si ; organic; inorganic chemical compound1 引言目前，全球能源危

4、机和环境危机使人们迫切需要一种绿色、高效的可再生能源。太阳能作为清洁的可再生能源，具有其他能源不可比拟的优势。而太阳能电池是人们利用和转化太阳能最直接和有效的形式，因此太阳能电池的研究受到更大的关注并得到了迅猛的发展。太阳能电池主要分为晶体硅电池和薄膜电池两大类，晶体硅电池包括单晶硅电池和多晶硅电池，而薄膜电池包括非晶硅电池和合金薄膜电池。目前，太阳能电池已经得到广泛应用并得到商品化。商品化的太阳能电池以单晶硅电池的光电转换效率最高，技术也最为成熟。但美中不足的是其成本较高，对材料纯度、制备工艺等都有很严格的要求，因此很难做到对单晶硅电池转化率和成本的进一步优化。薄膜太阳能电池仅仅需要几m的厚

5、度就能将太阳能转化为电能，具有晶体硅电池不可比拟的优势，主要包括：（1）材料消耗少，薄膜太阳能电池仅需要极薄的光电转化材料；（2）制造能耗低，薄膜太阳能电池使用化学气相沉积（CVD）和物理化学气相沉积（PCVD）等多种技术，与晶体硅电池的高耗能的晶体拉制、切割工艺相比较，制造能耗大大降低；（3）质量轻，薄膜太阳能电池结构质量轻、转换效率高、制备材料为软性，便于折叠携带、应用空间弹性大。本文通过对薄膜太阳能电池的研究现状的综述，主要介绍了硅薄膜太阳能电池、有机薄膜太阳能电池和无机化合物薄膜太阳能电池，对其前景和发展趋势进行展望。2 硅薄膜太阳能电池硅薄膜太阳能电池主要分为非晶硅、微晶硅和多晶硅薄

6、膜太阳能电池。薄膜硅太阳能电池的出现（硅膜厚度约50m），相比于晶体硅太阳能电池而言所用硅材料大幅度减少，很大程度上降低了晶体硅太阳能电池的应用成本。2.1 非晶硅薄膜太阳能电池非晶硅薄膜成本低，便于大规模生产，但光学带隙（1.7eV）与太阳光光谱不匹配，转化效率受到限制，并且光照效率随着光照时间的增加而衰减，即所谓的光致衰退S-W效应。1非晶硅薄膜太阳能电池是用非晶硅半导体材料在玻璃、特种塑料、陶瓷、不锈钢等为衬底制备的一种薄膜电池，是目前公认的环保性能最好的太阳能电池。非晶硅薄膜太阳能电池具有以下优点：质量轻且光吸收系数高，开路电压高抗辐射性能好，耐高温，制备工艺和设备简单，能耗少，可以淀

7、积在任何衬底上且淀积温度低、时间短，适于大批量生产。但与此同时，非晶硅材料也存在着不足：光学禁带宽度1.7eV，使得材料本身对太阳辐射光谱的长波区域不敏感，从而限制了其光电转换效率。同时其光电转换效率随着光照时间的延长而衰减，即所谓的光致衰退S-W效应，使得电池性能很不稳定。近年来，国内外对其研究主要在于提高光电转换效率和光致稳定性，并得到了一些改进的方法，主要是：采用不同带隙的多结叠层；降低表面光反射；使用更薄的i层等方法。经过多年的研究和努力，使得非晶硅太阳能电池的光致衰减率从30%降到了15%，同时光电转换效率也得到了很大程度的提高。非晶硅薄膜太阳能电池的制备方法主要包括反应溅射法、低压

8、化学气相沉积法（LPCVD）、等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）和热丝化学气相沉积法（HWCVD）。为生产高质量的非晶硅，对非晶硅的制备方法也进行了研究和改善，等离子体化学气相沉积法特别是RF辉光放点法已经得到广泛应用，2并提出了H2稀释PECVD法。非晶硅薄膜的成本低，所以是一种很好的太阳能电池材料，同时也存在上述的不足之处，但通过反应原料气H2稀释SiH4在不同衬底上制成的非晶硅薄膜经过不同电池工艺，分别得到单结电池和层叠电池可以得到解决。Sang-Kyun Kim等3利用H2稀释PECVD法在低纯度硅片上制备出a-SiH/c-Si异结质太阳能电池，其转化效率达到12.5%。非晶硅太

9、阳能电池具有高的光电转换效率，但光疲劳效应严重制约了其发展。西班牙巴塞罗那大学的Villar.F等3在温度低于150的条件下利用HWCVD方法准备出转换效率为4.6%的非晶硅薄膜光电池。日本MHI制成了世界上面积最大的高效非晶硅薄膜太阳能电池，其转换率达到8%。4目前，稳定的单结非晶硅薄膜太阳能电池的转换效率最高达9.5%。5如果能解决非晶硅薄膜太阳能电池的稳定性差和转换效率低等问题，则其将在未来光伏产业中发挥越来越重要的作用。2.2 微晶硅薄膜太阳能电池微晶硅薄膜太阳能电池的制备技术能与现有的非晶硅薄膜太阳能电池的制备技术兼容，而且微晶硅薄膜太阳能电池几乎不存在光致衰退效应。但微晶硅薄膜太阳

10、能电池的吸收系数低、沉积速率较慢、带隙较窄。6微晶硅薄膜太阳能电池具有过渡层结构，稳定性好，转化效率高，S-W效应相对较弱。Y.Sobajima等7在高压沉积的条件下是的微晶硅的沉积速率达到8.1nm/s，光电转化效率也达到了8.3%。德国的T.Chen等8采用HWCVD法制备了厚度仅为1m、转换效率到达8.0%的微晶硅薄膜太阳能电池。V.Smirnov等9使串联的微晶硅薄膜太阳能电池的转换效率提高到了11.3%。Finger等10采用热丝化学气相沉淀（HWCVD）技术制备微晶硅单质结太阳能电池的过渡层，其转换效率到达10.3%。目前，微晶硅薄膜太阳能电池的沉积速率都还不是很快。因此，提高微晶

11、硅薄膜太阳能电池的沉积速率将是未来的一个研究方向。2.3 多晶硅薄膜太阳能电池多晶硅薄膜太阳能电池在长波段具有高的光敏性，能有效吸收可见光，且具有与硅晶体薄膜太阳能电池相同的稳定性。一般商用多晶硅薄膜太阳能电池的转换效率在12%-14%。同时，材料制备工艺相对简单，无S-W效应，但成本依然很高。为了获得大尺寸的多晶硅薄膜，人们一直在研究，并提出了很多方法，如PECVD、LPCVD、HWCVD、快速热化学气相沉积法（RTCVD）、液相外延法（LPE）、溅射沉积法、金属诱导晶体法等SONY公司用多孔硅分离技术制备的多晶硅薄膜太阳能电池的光电转换效率达到12.5%；11德国Gall.S等12认为以玻

12、璃为衬底制备出来的多晶硅薄膜太阳能电池具备光电转换效率达到15%的潜力。北京太阳能研究所在重掺杂抛光单晶硅衬底上制备出的多晶硅薄膜电池的效率达到13.6%。13德国费来堡太阳能研究所采用区熔再结晶技术制得的多晶硅电池的转换效率达19%。13多晶硅薄膜太阳能电池是将多晶硅薄膜生长在低成本材料衬底上，用相对薄的晶体硅层作为太阳能电池的激活层，不仅保持了晶体硅太阳能电池的高性能和稳定性，而且材料的用量大幅度下降，成本明显降低。3 有机薄膜太阳能电池有机薄膜太阳能电池是把两层有机半导体薄膜结合在一起制成的，具有面积大14、易加工15、毒性小、成本低16的特点。到目前为止聚合物半导体材料主要是P3HT:

13、PCBM，因为它化学稳定性、结晶度、吸光能力和载流子迁移性很适合于制作太阳能电池。此种电池的结构一般是在涂覆透明导电电极ITO的PET上涂覆ZnO电子运输层，银作为背电极。P3HT:PCBM聚合物太阳能电池被认为是低成本获得太阳能电力的器件，它可以采用非真空全溶液制备法，在柔性衬底上大面积印刷电池，因此电池的成本得到大幅度降低。尽管聚合物电池的转换效率较低，但具有很大的发展潜力。有机薄膜太阳能电池的工作过程包括：（1）光激发产生光激子；（2）激子在给/受体（D/T）界面分裂；（3）电子和空穴的漂移及其在各自电极上的收集。17有机薄膜太阳能电池质量轻、柔韧易加工、成本低并可大面积制备。在实验特定

14、研究条件下有机薄膜太阳能电池的转换效率达到9.5%。18Hunag等19合成了水溶性啉-二噻吩并噻吩共聚物I、IIa和IIb。薄膜态 I 在 563619nm有两个弱的 Q 带吸收，而薄膜态b在760nm有一个强的 Q带吸收。b的场效应空穴迁移率高达2.1×104cm2·V1·s1。王藜等20以PC70BM取代PC60BM作为电子受体材料，以MEH-PPV为电子给体材料，制成了本体异质结(BHJ)聚合物太阳能电池。其转换效率为3.4%。Kitazawa 等21合成了光学带隙和HOMO能级分别为1.95和5.37eV的喹啉基 共轭给体聚合物NP7，并以其为给体，以P

15、CBM为受体组装了BHJ太阳能电池，其转换效率高达5.5%。Shibano 等22将各种电子给体氨基引入到苝四羧酸衍生物( PTCs )的苝核中，研究其在有机太阳能电池中的潜在应用。有机薄膜太阳能电池主要有单层结构的肖特基电池、双层p-n异质结电池以及P型和N型半导体网络互穿结构的体相异质结电池。目前制作有机半导体层材料主要采取的方法有真空技术(真空镀膜溅射和分子束外延生长技术)、溶液处理成膜技术(电化学沉积技术、铸膜技术、分子组装技术、印刷技术等)和单晶技术(电化学法、气相法和扩散法)。虽然有机薄膜太阳能电池有着很多优点,但由于处于研发初期,再加上激子结合能大、电子迁移率低,从而导致光电转化

16、效率低且寿命短等缺点。所以以后的研究方向是提高材料的电导率、成膜技术、器件工艺制作水平和开发新的材料等。4 无机化合物薄膜太阳能电池新型无机多元化合物薄膜太阳能电池材料主要包括砷化镓( GaAs )III-V族化合物、硫化镉(CdS)、碲化镉(CdTe)及铜铟硒（CIS）薄膜电池等。4.1 砷化镓薄膜太阳能电池GaAs化合物具有理想的光学带隙及较高的吸收效率，抗辐照能力强，对热不敏感，适合加工高效单结电池，但其材料价格不菲，在很大程度上限制了GaAs电池的普及。研究发现其表面复合速率很高，严重影响了短波响应，制约了其太阳能电池效率的提高。IBM公司采用LPE技术,引入GaAlAs异质窗口层,降

17、低了GaAs表面复合速率，使得其转换效率达16%。22HRL改进了LPE技术,实现了批量生产,使电池的平均转换效率达到了18%。尽管LPE技术使得GaAs太阳能电池的效率达到了很高的水平,但难以实现浅结，因此不能有效地解决抗辐照问题,同时GaAs单晶机械强度低、易碎，难以制成大而薄的电池。为此，20世纪80年代中后期,美国的ASEC放弃了LPE技术，改用MOVPE技术制备GaAs/GaAs太阳能电池，并于1987年成功地用Ge单晶代替GaAs作为外延衬底,制备出GaAs/Ge太阳能电池。目前，其最高的效率超过20%,生产水平已经达到了19%20%。2009年荷兰的G.J.Bauhuis等使Ga

18、As单结电池转换效率已达到26.1%。23制备GaAs薄膜太阳能电池的方法有晶体生长法、直接拉制法、气相生长法、液相外延法等。由于Ga比较稀缺，而As有毒，且制造成本又高,所以其发展受到了限制,不适合于大规模的民用化生产，多用于空间,目前国际上已将GaAs太阳能电池作为航天飞行空间主电源，而且GaAs组件所占的比重也在逐渐增加。4.2 CdTe/CdS薄膜太阳能电池 CdTe薄膜太阳能电池结构简单，成本相对较低，但CdTe存在自补偿效应，制备高电导率同质结很困难，实用电池多为异质结结构。CdS的结构与CdTe相同，晶格常数差异小，是CdTe基电池最佳的窗口材料。典型CdTe电池结构的主体是由厚

19、约2m的p型(CdTe)层与0.1m的n型(CdS)层组成，光子吸收主要发生在CdTe层。目前，CdTe/CdS薄膜太阳能电池制备技术主要有真空蒸镀法、溅射法、电化学沉积法等24，实验室转换效率达到16.5%25。美国South Florida大学S.Erra等26报道向CdTe薄膜太阳能电池的制备材料中掺Cu可以大大提高太阳能电池组件的稳定性能。2009年M.Hädrich等27采用CSS技术使得CdTe薄膜太阳能电池的吸收层厚度从11m降到4m而转换效率却从9.0%提高到了10%。近期四川大学采用CSS技术制备的CdTe薄膜太阳能电池的转换效率已达13.3%。28虽然20世纪90

20、年代CdTe薄膜太阳能电池就已实现了大规模商业化生产,但市场发展的速度缓慢,所占的市场份额一直不大。影响CdTe薄膜太阳能电池发展的原因是Cd有剧毒、Te为稀有元素。由于CdTe有剧毒这一致命缺点,直接影响了CdTe薄膜材料类太阳能电池的研发价值和应用范围。4.3 铜铟硒类薄膜电池铜铟硒(CuInSe2，简称CIS)和铜铟镓硒（CIGS）薄膜是在玻璃或其它廉价衬底上沉积的半导体薄膜，其厚度为23m，具有成本低、性能稳定、无光诱导衰变且抗辐射能力强等特性。其具有近似最佳的光学能隙，吸收率（吸收与入射光通量之比）高(105cm1)，抗辐射能力强和长期稳定性好等特点。其能隙还可以通过Ga和Al部分取

21、代In，或S部分取代Se进行调节。制备的方法有多元共蒸镀法、溅射法、喷涂法、电沉积等。目前报道的 CIGS 无镉薄膜太阳能电池有效面积的最高转换效率是16.9%。John 等29以In2S3薄膜作为CuInS2电池的窗口材料，制备结构为CuInS2/In2S3的电池的转换效率为9.5%。2009年日本昭和石油公司开发出了面积为800cm2、转换效率为15%的CIS薄膜太阳能电池30。目前，CIS薄膜太阳能电池的实验室转换效率接近20%31，大面积集成组件的效率超过13%。德国的S.Spiering等32利用MOCVD工艺在300的条件下制备出的CIGS光电池，其转换效率为12.3%。美国NRE

22、L33采用真空蒸镀法制备的CIGS薄膜太阳能电池,其光电转换效率达19.5%。与此同时，德国、和日本已经进行了一定规模的民用产业化生产，电池模块的转换效率达13%14%。ZnO的禁带宽度为3.2eV，短波透过率高，以ZnO作为窗口材料可使更多的光入射到吸收层，增加光生载流子数目。但它们的禁带宽度相差太大，ZnO 作窗口材料直接与CuInS2层构成异质结，导致界面失配，由此带来的缺陷态较多，制约了光电转化率的提高。可以在CuInS2/ZnO之间增加一层很薄的缓冲层，如 CuInS2/In2S/ZnO34、Zn(S,O)/ZnS/CuInS35和ZnO/p-CuI/n-CuInS236结构的异质结

23、电池及用导电聚合物作为CuInS2电池窗口材料37。铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池除了其自身的优点外，还存在一些不足之处：(1)材料的性质易变；(2)目前常用的制备方法是真空蒸发法和溅射法，这2种方法都易造成原材料的浪费；(3)In为稀有元素。为获得高性能的电池和组件，理想的CIGS电池的生产技术应选择合适的沉积CIS薄膜的技术路线和解决柔性CIGS组件的防潮问题。在产业化组件转换效率方面，2012年10月，CIGS薄膜太阳能电池板制造商MiaSal研发的大面积生产组件(面积为1m2)效率达到15.7%，是商业规模薄膜组件中已证实的最高效率.采用柔性衬底也是CIGS薄膜电池的发展趋势之一。

24、38有文献报道称以金属箔为衬底制造的CIGS电池最高效率达到17.7%。39Islam M M等人研究了AZO(Al:ZnO)薄膜窗口层厚度对CIGS太阳能电池光电性能的影响，研究表明：当AZO窗口层厚度为400nm时CIGS太阳能电池光电性能达到最优，转换效率可达17.2%。405 染料敏化薄膜太阳能电池染料敏化薄膜太阳能电池(DSSC)实际上是模仿光合作用原理而研制出的一种新型的光电化学电池,是人们在探索电池制备新工艺、新材料和电池薄膜化过程中发展起来的一种新型光伏器件。染料敏化太阳能电池的工作原理：以染料分子作为吸光的主要材料,在吸收到太阳光时,电子被激发到高能隙层,但激发态是一个不稳定

25、态，所以电子必须以最快速度传输到紧邻的染料分子的导电层内,同时染料分子所失去的电子也能在第一时间从电解质中得到回馈。在染料分子导带中的电子最终经过电极而传送到外部回路从而产生光生电流。5.1 染料敏化TiO2薄膜太阳能电池DSSC一直被认为是新型太阳能电池最有力的竞争者。2005年M.Grätzel等41使其光电转换效率达到11.04%。2009年G.N.Jung等42利用丝网印刷法和化学气相沉积技术成功地把碳纳米管应用到DSSC的电极中。目前这种电池的实验室最高转换效率为12%。面积约为100cm2的染料敏化TiO2薄膜太阳能电池光电转换效率已超过6.3%。已制备成功效率接近6%的

26、15cm×20cm的电池组件,并组装成45cm×80cm的电池板以及500W小型示范站,充分显示了其成为具有广阔应用前景的低价太阳能电池的一个新的选择。染料敏化TiO2薄膜太阳能电池最吸引人的特点是原材料廉价、制作工艺简单、寿命长、性能相对稳定和衰减少。如何进一步提高其光电转换效率和电池的实用化是目前面临的主要研究问题。今后需对其进行4个方面的研究：(1)纳米TiO2薄膜的制备；(2)敏化染料的研究；(3)固态电解质的选择；(4)对电子注入和传输的内在机理进行更深入的探讨。5.2 染料敏化ZnO薄膜太阳能电池TiO2薄膜中存在着大量的表面态,表面态能级位于禁带之中，这些表面

27、态构成的陷阱束缚了电子在薄膜中的运动，使得电子在薄膜中的传输时间延长,大大增加了电解质复合的概率，导致暗电流增加，从而降低了TiO2电池的光电转换效率，因此有必要寻找新的半导体材料。ZnO是最有希望取代TiO2的氧化物之一，它们均为宽禁带半导体，导带电位相差很小43。与TiO2相比，ZnO具有以下优点：(1)电子在ZnO中的迁移率大；(2)ZnO的制备方法更加多样化。目前,ZnO薄膜太阳能电池的最高光电转换效率为4.1%是由日本的Fujihara等44实现的。目前，ZnO薄膜太阳能电池的转换效率和稳定性都不如TiO2，原因在于：(1)ZnO晶体颗粒粒径比TiO2大，使得ZnO薄膜的比表面积偏小

28、，吸附染料的量减少；(2)TiO2分子的3d轨道和染料配合物的电子激发态轨道有很好的电子耦合，有利于光激发下的电子向TiO2的导带转移，而ZnO电池没有类似耦合现象。所以要提高染料敏化ZnO薄膜太阳能电池的转换效率，必须开发新的制备高比表面积的ZnO电极技术，选择具有宽吸收光谱和性能匹配的染料并改善染料在ZnO电池中的吸收方式。目前制备染料敏化ZnO薄膜电极的方法有手术刀法、丝网印刷法、机械挤压法、化学液相沉积法、化学气相沉积、低温水热法和电沉积自组装法。只有对ZnO薄膜太阳能电池的理论和应用研究进行不、断探索，才能提高其光电转换效率和稳定性。6 结语目前，太阳能电池产业发展的瓶颈主要有两方面

29、：第（1）个是价格问题，首先要研制稳定的、高效率且低成本的半导体材料，并用低成本的工艺路线量化生产太阳能电池；第（2）个问题就是效率问题，减少材料消耗与能耗、降低成本、提高转换效率和稳定性将是太阳能电池研究及制备工艺的研究重点。基于人类对新能源材料的需求和科技的不断进步，太阳能电池在替代常规能源方面将显示出愈来愈强大的优势。参考文献1 Staebler D L,Wronski C R.Reversible conductivity changes in discharge-producrd amorphous Si.Appl Phys Lett,1997,31(4):292-294.2 钟迪生

30、. 硅薄膜太阳能电池研究进展，应用光学，2001,22（3）：34-40.3 Villar F,et al.Amorphoussilicon thin film solar cells deposited entirely by hot-wire chemical vapor deposition at low temperature(<150).Thin Solid Films,2009,517(12):3575.4 Takatsuka H,et al.Worlds largest amorphous silicon photovoltaic module.Thin Solid Fil

31、ms,2006,506-507:13.5 Green M A,Emery K,et al.Research short communication solar cell efficiency tables(version31).Progress in Photovoltaics:Res Appl,2008(16):61.6 Mai Y,Klein S,et al.Microcyrstalline silicon solar cells deposited at high rates. J Appl Phys,2005,97(11):114913.7 Yasushi S,et al.Solar

32、cell of 6.3% efficiency employing high deposition rate(8nm/s) microcrystalline silicon photovoltaic layer.Solar Energy Mater Solar Cells,2009,93:980.8 Chen T,Huang Y L,et al.Microcrystalline silicon carbide thin films grown by HWCVD at different filament temperatures adn their application in n-i-p m

33、icrocyrstalliine silicon solar cells.Thin Solid Films,2009,517:3515.9 Smirnov V,Das C,et al.Improved homogeneict of microcrytalline absorber ayer in thin-film silicon tandem solar cells.Mater Sci Eng B,1009,159-160:44.10Finger F,Geng X,Sfiebig H,et al.Stability of microcrystalline silicon solar cell

34、s with HWCVD buffer layer.Thin Solid Films,2008,516(5):733-735.11苏孙庆.多晶硅薄膜太阳能电池的研究进展.技术物理教学，2007,15（2）:45-47.12Gall S,et al.Polycrystalline silicon thin-film solar cells on glass.Solar Energy Mater Solar Cells,2009,93(6-7):1004.13苏孙庆.多晶硅薄膜太阳能电池的研究进展.技术物理教学，2007,15（2）:45-47.14Tipis R,Bernokopf L,et a

35、l.Large-area organic photovoltaic module-fabrication and performance. Solar Energy mater Solar Cells,2009,93(4):442.15Blankenburg L,Schultheis K,Schache H,et al.Reel-to reel wet coating as an efficient up-scaling technique for the production of bulk-heterojunction polymer solar cells.Solar Energy ma

36、ter Solar Cells,2009,93(4):476.16Krebs K C,Norrman K,et al.A complete progress for production of flexible large area polmer solar cells for production of flexible large area polymer solar cells entirely using screen pringting-first public demonstartion.Solar Energy mater Solar Cells,2009,93:442.17Dj

37、ara V,Bemede J C,et al.Effect of the interface morphology on the fill factor of plastic solar cells.Thin Solid Films,2005,493:273-277.18Shaheen S E,Brabec C J,et al.2.5% efficient organic plastic solar cells.Appl Phys Lett,2001,78:841-843.19HUANG X B, ZHU C L,ZHANG S M,et al.Porphyrin-dithienothioph

38、ene -conjugated copolymers:synthesis and their applications in field-effect transistors and solar cells.Macromolecules, 2008, 41(19): 6895-6902. 20王藜,徐苗,应磊,等.以C70衍生物为电子受体的高效聚合物固体薄膜太阳能电池.高分子学报, 2008, (10): 994-998. 21KITAZAWA D,WATANABE N,YAMAMOTO S,et al.Quinoxaline-based -conjugated donor polymer f

39、or highly efficient organic thin-film solar cells. Appl Phys Lett,2009,95(5):053701/1-053701/3. 22SHIBANO Y,IMAHORI H,ADACHI C.Organic thin-film solar cells using electron-donating perylene tetracarboxylic acid derivatives.J Phys Chem C, 2009, 113(34): 15454-15466. 23Bauhuis G J,Mulder P,et al.26.1%

40、 thin-film GaAs solar cell using epitaxial lift-off.Solar Energy Mater SolarCells,2009,93(3):332.24Takatsuka H,et al.World,s largest amorphous silicon photovoltaic module.Thin Solid Films,2006,506-507:13.25Green M A,Emery K,et al.Research short communication solar cell efficiency tables(version 31).

41、Progress in Photovoltaics:Res Appl,2008(16):61.26Erra S,Shivakumar C,et al.An effective method of Cu incorporation in CdTe solar cells f Hädrich M,Kraft C,et al.Pathways to thin absorbers in CdTe solar cells.Thin Solid Films,2009,517:2282or improved stability.Thin Solid Films,2007,515(15):5833.

42、27Contreras M A.Diode characteristics in state-of-the-art ZnO/CdS/Cu(In1-xCax)solar cells.Progress in Photovoltaics:Res Appl,2005,13(3):20928Wei C,Lianghuan F,et al.Produce technology of CdTe thin film modules and design of manufacture line.PhotovoltaicEnergy Conversion,2006,585.29John T T, Mathew M

43、,Kartha C S,et al.CuInS2/In2S3 thin film solar cell using spray pyrolysis technique having 9.5% efficiency.Sol Energy Mater Sol Cells, 2005, 89(1): 27-36. 30 Kushiya K,Tanaka Y,et al.Interface control to enhance the sill factor over 0.70 in a large-area CIS-based thin-film PV technology.Thin Film Ch

44、alogenide Photovoltaic Mater,2009,517(7):210831Contreras M A.Diode characteristics in state-of-the-art ZnO/CdS/Cu(In1-xCax)solar cells.Progress in Photovoltaics:Res Appl,2005,13(3):20932 Spiering S,Brkert L,et,al.MOCVD indium sulphide for application as a buffer layer in CIGS solar cells.Thin Solid

45、Films,2009,517(7):232833Contreras M A.Diode characteristics in state-of-the-art ZnO/CdS/Cu(In1-xCax)solar cells.Progress in Photovoltaics:Res Appl,2005,13(3):20934Asenjo B,Chaparro A M,et al.Influence of In2S3 film properties on the behavior of CuInS2/In2S3/ZnO type solar cells.Sol Energy Mater Sol Cells, 2005, 87(1/2/3/4): 647-656. 35Barr M, Enna