变温霍尔效应北京师范大学

1、变温霍耳效应实验日期：2013.11.11 指导老师：王亚非 【摘要】：本实验我们研究了样品（锑化铟）的霍尔系数随温度的变化情况。利用液氮控制样品的温度，通过测量不同温度下的霍尔电压来计算出变温情况下的霍尔系数，画出温度80-300k范围内样品的曲线来研究禁带宽度、载流子浓度、迁移率本实验采用范德堡法，通过控温的方式测量了碲镉汞单晶样品的霍耳电压、副效应电压以及霍耳系数随温度的变化。【关键词】：霍尔效应 禁带宽度 迁移率 半导体 范德堡法一、引言1879年，霍尔在研究通有电流的导体在磁场中受力的情况时，发现在垂直于磁场和电流的方向上产生了电动势，这个电磁效应称为“霍尔效应”。在半导体材料中，霍

2、尔效应比在金属中大几个数量级，引起人们对它的深入研究。霍尔效应的研究在半导体理论的发展中起了重要的推动作用，直到现在，霍尔效应的测量仍是研究半导体性质的重要实验方法。利用霍尔效应，可以确定半导体的导电类型和载流子浓度，利用霍尔系数和电导率的联合测量，可以用来研究半导体的导电机构(本征导电和杂质导电)和散射机构(晶格散射和杂质散射)，进一步确定半导体的迁移率、禁带宽度、杂质电离能等基本参数。测量霍尔系数随温度的变化，可以确定半导体的禁带宽度、杂质电离能及迁移率的温度特性。根据霍尔效应原理制成的霍尔器件，可用于磁场和功率测量，也可制成开关元件，在自动控制和信息处理等方面有着广泛的应用。二、实验原理

3、1、半导体内的载流子根据半导体导电理论，半导体内载流子的产生有两种不同的机制：本征激发和杂质电离。(1)本征激发:在本征半导体中的电子-空穴对的产生过程中，每产生一个电子，同时也产生一个空穴，所以，电子和空穴密度保持相等，即 ，称为本征载流子密度。本征载流子密度是指由半导体本身提供载流子，不受外来掺杂的影响，这种载流子的产生过程叫做本征激发。 (2)杂质电离:绝大部分的半导体材料都含有一定量的浅杂质，它们在常温下的导电性能，主要由浅杂质决定。杂质电离过程产生一个空穴所需能量为杂质电离能，相应的能级称为受主能级，把这种能够接受电子变为负离子的杂质称为受主杂质，这种由受主杂质电离提供空穴导电的半导

4、体叫做P型半导体，如图2所示。当杂质电离能比禁带宽度小得多，这个杂质能级处于禁带之中，这个能级称为施主能级，把这种向半导体提供一个自由电子而本身成为正离子的杂质称为施主杂质，这种由施主杂质电离提供电子导电的半导体叫做N型半导体，如图3所示。2、载流子的电导率在一般电场情况下，半导体导电也服从欧姆定律，电流密度与电场成正比：由于半导体可以同时又电子和空穴，而且他们的浓度随样品不同和温度的变化，可以有很大的变化。从理论可知，电导率与导电类型和载流子浓度有关，当混合导电时 其中和分别表示电子和空穴的浓度，为电子电荷，和分别为电子和空穴的迁移率。图4为半导体电导率随温度变化的规律。3、霍耳效应(1)霍

5、耳效应霍耳效应是一种电流磁效应，如图5.当样品通以电流，并加一磁场垂直于电流，则在样品的两侧产生一个霍耳电位差： (1)与样品厚度成反比，与磁感应强度和电流 图4霍耳效应示意图成正比。比例系数叫做霍耳系数。(2)一种载流子导电的霍耳系数 型半导体： (2)型半导体： (3)式中和分别是电子和空穴的电导迁移率，为霍耳迁移率，它可以通过及计算得到。(3)两种载流子导电的霍耳系数在磁场作用下，电子和空穴本来都朝同一边积累，霍耳电场的作用是使它们中一个加强，另一个减弱，这样，使横向的电子流和空穴流大小相等，由于它们的电荷相反，所以横向的总电流为零。假设载流子服从经典的统计规律，在球形等能面，只考虑晶格

6、散射及弱磁场的条件下，对于电子和空穴混合导电的半导体其中（ ）： （4）(4)P型半导体的变温霍耳系数半导体内载流子的产生存在两种不同的机制：杂质电离和本征激发。因为两者需要的激发能不同，取决于所处的温度，因而霍尔系数将随温度的变化而变化。下面以P型半导体为例分四个温度范围讨论-T之间的关系。曲线如图5所示，此曲线包括以下四个部分：1）杂质电离饱和区，所有的杂质都已经电离，载流子浓度保持不变。P型半导体中p>>n，在这个区域内，>0。2）温度逐渐升高时，价带上的电子开始激发到导带，由于电子迁移率大于空穴迁移率，b>1，当温度升高到时，=0，如果取对数，就出现了图5中标有

7、“b”的一段。3）当温度再升高时，更多的电子从价带激发到导带，而使，随后将会达到一个极值。此时，价带的空穴数，可得到 （5） 式中为达到极值，是杂质电离饱和区的霍尔系数。由上式可以估算出电子迁移率与空穴迁移率的比值b。4）当温度继续升高，达到本征激发范围内，载流子浓度远远超过受主的浓度，霍尔系数与导带中电子浓度成反比。因此，随温度的上升，曲线基本上按指数下降。由于此时载流子浓度几乎与受主浓度无关，所以代表杂质含量不同的各种样品的曲线都聚合在一起。图5.p型半导体和N型半导体的lnRH-1T曲线4、实验中副效应及其消除在霍耳系数的测量过程中，伴随着热磁副效应所产生的电位，叠加在测量值上，引起测量

8、误差。采用范德堡法测量霍耳电压时，可以通过磁场换向和电流换向的方法消除。实验中通过磁场换向和电流换向测得四个电压值，每一次测量的电压是霍耳电压和各种副效应电压的叠加，即该式中表示实际霍耳电压，分别表示爱廷豪森、能斯特和里纪-勒杜克效应产生的附加电位差。其中爱廷豪森效应电位差与霍耳电压一样，既与电流有关，又与磁场有关，所以这种方法不能消除它的影响，得到的霍耳电压实际为，则上式改为 所以有 化简后即 副效应电压 霍尔系数 。三、实验内容及实验仪器1、室温下的霍耳测量测磁场强度并标定其方向室温下，调节电流为10mA，通过磁场换向和电流换向测出。2、变温霍耳效应先抽真空,再装液氮，冷却仪器后用变温恒温

9、器和控温仪实现温度的变化，通过控温仪来设定我们所需的温度，变温恒温箱里面通过液氮的冷却和加热器的加热，来实现温度的动态平衡。180度旋转可换向永磁铁的方向来改变磁场方向。用CVM-2000表来实现电流大小与方向的控制。测量80300K范围内样品的四组霍尔电压。3、实验装置图图 6变温霍耳效应系统示意图四、实验数据与实验结果1、数据处理实验中样品厚度为，样品通电电流大小，外磁感应强度大小为。通过磁场、电流换向分别测得四个电压值，带入公式可算出霍耳电压和霍耳系数。表1 变温霍耳效应数据记录与数据分析备注T(K)VH(mV)VH(mV)RH(m3/C)VN+VRL (mV)ln|RH|1/TB+B-

10、I+I-I+I-室温下的测量294.86-2.611-2.61-2.5932.593-1.2968-3E-04-1.305-8.150.003从80K开始测量80.2621.58-21.2717.21-16.9119.2430.0040.002-5.4530.012100.1222.81-22.5016.72-16.3919.6050.004-0.005-5.4340.010110.2623.61-23.2816.93-16.6120.1080.0040.002-5.4090.009120.1824.70-24.3616.69-16.3520.5250.0050.000-5.3880.0081

11、30.2025.29-24.9616.23-15.8920.5930.005-0.003-5.3850.008140.3025.38-25.0315.48-15.1420.2580.0050.002-5.4010.007142.0125.25-24.9015.35-14.9720.1180.004-0.007-5.4080.007144.2324.97-24.6114.77-14.4119.6900.0040.000-5.4300.007146.0824.59-24.2514.19-13.8419.2180.004-0.002-5.4540.007148.4023.96-23.6214.20-

12、13.8018.8950.004-0.015-5.4710.007以上为杂质电离饱和区150.2023.78-23.3613.54-13.2318.4780.0040.028-5.4930.007152.0722.98-22.5512.64-12.1717.5850.004-0.010-5.5430.007b>1区155.2520.04-19.6211.36-11.2715.5730.0030.082-5.6640.006160.7313.96-13.625.42-4.689.4200.002-0.100-6.1670.006RH=0附近165.015.18-4.964.79-4.284

13、.8030.001-0.073-6.8410.006B+正负转换170.21-8.628.30-19.8418.46-13.805-0.0030.265-5.7850.006175.75-30.0631.81-42.7042.56-36.783-0.0080.473-4.8050.006180.45-61.3462.01-66.3765.57-63.823-0.0140.368-4.2540.006185.73-80.5081.74-86.1587.01-83.850-0.0190.095-3.9810.005RH极值点190.01-86.8987.18-90.9091.00-88.993-0

14、.0200.048-3.9210.005195.80-72.9173.92-73.6073.82-73.563-0.0160.198-4.1120.005200.42-59.8159.74-62.2462.14-60.983-0.0140.008-4.2990.005205.24-48.1948.40-48.6048.87-48.515-0.011-0.015-4.5280.005210.32-33.9834.16-34.7234.89-34.438-0.0080.002-4.8710.005215.52-28.2628.50-29.3429.48-28.895-0.0060.025-5.04

15、60.005220.21-23.7924.07-23.9024.10-23.965-0.0050.020-5.2330.005229.31-14.3814.45-14.7014.75-14.570-0.0030.005-5.7310.004235.52-11.9312.00-11.6111.80-11.835-0.003-0.030-5.9390.004240.78-10.3310.56-10.3510.56-10.450-0.0020.005-6.0630.004245.31-8.468.49-8.788.81-8.635-0.0020.000-6.2540.004以下为本征激发区250.9

16、1-7.007.15-7.107.23-7.120-0.0020.005-6.4470.004258.82-5.966.02-6.076.11-6.040-0.0010.005-6.6110.004265.46-4.874.92-4.975.00-4.940-0.0010.005-6.8120.004270.58-4.274.32-4.354.39-4.333-0.0010.003-6.9440.004275.42-3.783.82-3.863.91-3.843-0.001-0.003-7.0640.004280.86-3.333.39-3.363.42-3.375-0.0010.000-7.

17、1930.004285.48-3.013.06-3.063.12-3.063-0.001-0.002-7.2910.004290.76-2.652.72-2.672.75-2.698-0.001-0.002-7.4170.003295.68-2.362.43-2.422.47-2.420-0.0010.005-7.5260.003300.51-2.112.21-2.142.25-2.1780.000-0.002-7.6320.0032、结果分析根据表1的结果，分别作出样品的变化曲线，分别如图9、图10、图11、图12所示。由图9图10可见，霍耳电压、霍耳系数与温度的变化曲线趋势完全相同，这是由

18、于霍耳系数是根据公式所得，由公式可知霍耳系数与霍耳电压成正比。由图知霍耳系数在80-150K范围内几乎保持不变，所以杂质电离饱和区的霍耳系数为。在190K是霍耳系数达到最值，即。根据图11可知副效应电压在80-150K和250-300K两个区间非常小，几乎为零，说明在这两个范围，副效应对霍耳电压的测量影响很小。但在150-250K范围内副效应电压相对较大。由图12曲线特征显然可知所测样品为P型半导体。结合图10分段讨论与的关系。1)温度在80-150K范围时，为杂质电离饱和区，所有的杂质都已经电离，载流子浓度保持不变，样品中，在这段区域内，且。2)温度继续升高，价带上的电子开始激发到导带，由于电子迁移率大于空穴迁移率，当温度升高到大约167K时，此时,如果取对数，就出现图12中c点所对应的图像，其实c点处并不连续。3)温度继续升高，更多的电子从价带激发到导带，而使，当温度为190K左右时，将