内置pcb板的屏蔽机箱的频效计算讲义

第一章 序言随着电子技术的迅速发展，现代电子设备已广泛应用于人类生活的各个领域。电子设备的广泛应用和发展，必然导致它们在其周围空间产生的电磁场电平的不断增加。也就是说，电子设备不可避免地在电磁环境中工作。因此，解决电子设备在电磁环境中地适应能力越来越受到重视。电磁兼容的中心课题是研究如何控制和消除电磁干扰，使电子设备或系统与其他设备联系在一起时，不引起设备或系统的任何部分的工作性能的恶化或降低。电磁兼容的关键技术在于有效地控制电磁干扰。电磁干扰地抑制技术是电磁兼容领域地重要课题，抑制电磁干扰的方法很多，电磁屏蔽是其中一种很重要的技术。电磁波进入屏蔽电子系统的途径主要有两条，一是通过系统的天线耦合进入系统，即所谓的“前门”耦合；二是通过系统上的孔洞和缝隙等进入系统，即所谓的“后门”耦合。由于通过前门耦合的能量有可能被系统的保护器件阻隔而不会对系统产生干扰或破坏，而系统的孔缝不可避免，所以，通过后门耦合进入系统，并对系统内的器件进行干扰或破坏是高功率微波能量进入目标系统的重要途径之一。对于许多电子产品而言，没有屏蔽外壳就无法达到电磁兼容要求。然而，为适应通风、散热等要求，往往需要在屏蔽体上开孔，完整性受到破坏。这样外部电磁场通过孔缝进入屏蔽体内部，可能耦合到电路板的导线上，产生感应电流和感应电压。通过对孔缝电磁耦合的数值仿真，计算屏蔽体内场的分布，有利于指导电路和器件的合理布局，使敏感器件避开场的峰值区域，提高电子设备的抗干扰能力。应此，研究孔缝耦合的屏蔽效能十分重要。Ansoft HFSS软件是应用有限元方法的原理来编制的，可对孔缝电磁耦合的数值仿真，计算屏蔽体内场的分布，得出屏蔽体的屏蔽效能第二章 屏蔽效能的定义屏蔽的基本概念采用屏蔽措施，将那些对于电磁脉冲比较敏感的电子、电气设备及系统在空间上与电磁脉冲辐射环境相隔离，减小电磁脉冲场对设备及系统的耦合影响，是实施电磁脉冲防护的重要手段之一。所谓屏蔽就是用导电或导磁材料，或用既导电又导磁的材料，制成屏蔽体，将电磁能量限制在一定的空间范围内，使电磁能量从屏蔽体的一面传输到另一面时受到很大的削弱。1屏蔽效果的表示方法屏蔽体的屏蔽效果一般可以用一下两种方法表示。（1） 传输系数T 传输系数T系指加屏蔽后某一测点的场强和与同一测点未加屏蔽时的场强和之比，即对电场 对磁场 T值愈小，表示屏蔽效果愈好。（2） 屏蔽效能SE屏蔽效能SE系指未加屏蔽后某一测点的场强和与同一测点加屏蔽时的场强和之比，当以dB为单位时，对电场 对磁场 屏蔽效能有时也称屏蔽损耗，其值愈大，表示屏蔽效果愈好。2屏蔽原理在讨论屏蔽原理时，可将屏蔽分为电场屏蔽、磁场屏蔽、电磁屏蔽几种类型。（1）电场屏蔽以电导率较高的材料作屏蔽体并良好接地，将电场终止在屏蔽体表面并通过接地泄放表面上的感应电荷，可防止电场耦合。完整的屏蔽体和良好的接地是实现电场屏蔽必须具备的两个条件。（2） 磁场屏蔽磁场屏蔽的屏蔽机理与磁场频率有关。对于低频（包括直流）磁场的屏蔽，屏蔽体须采用高磁导率材料，从而使磁力线主要集中在由屏蔽体构成的低磁阻磁路内，以防止磁场进入屏蔽空间。因此要获得好的低频磁场屏蔽效果，屏蔽体不仅要选用磁导率高的材料，而且屏蔽材料在被屏蔽磁场内不应处于饱和状态，这就要求屏蔽体的壁具有相当的厚度。对于高频磁场的屏蔽其原理则有所不同，主要利用金属屏蔽体上感生的涡流产生反磁场起排斥原磁场的作用。因此，在同一外场条件下，屏蔽体表面的感生涡流愈大，则屏蔽效果愈好。所以高频磁场的屏蔽应选电导率高的金属材料。对同一屏蔽体材料，感生涡流随外场频率的提高而增大，屏蔽效果随之提高。由于高频的趋肤效应，涡流只限于屏蔽体表面流动，因此对于高频磁场的屏蔽只需采用很薄的金属材料就可收到满意的屏蔽效果。（3） 电磁屏蔽电磁波在穿透导体时会急剧衰减并在导体面上发生反射，利用由导体制成的屏蔽体的这一特性便可有效地隔离时变电磁场的相互耦合。实际上对电磁场而言，电场和磁场不可分割，电场分量和磁场分量总是同时存在的。只是当电流源的频率较低时，在距离电流源不远处（距离远小于波长的1/6），按照源的不同特性，其近场的电场分量和磁场分量各自在总场所占的份额有所不同。在近场以磁场为主的情况下，可忽略电场分量；反之，近场若以电场为主，磁场分量可忽略。3孔洞和缝隙对屏蔽体屏蔽效能的影响没有任何孔洞和缝隙的连续金属板具有很高的电磁屏蔽效能。但实际应用的屏蔽室由于使用的需要，必须设置门、通风窗、进线孔等，从而在屏蔽体上形成孔洞和缝隙，造成电磁泄漏，导致屏蔽室的屏蔽效能降低。对孔洞而言，影响其电磁能量泄漏的因素很多，其中最主要的是孔洞的面积和形状。实验证明，对于某一个固定场源，电磁泄漏随孔洞面积增加而增加，在孔洞面积相同的情况下，矩形孔泄漏大于圆形孔。关于缝隙对屏蔽体屏蔽效能的影响，可从缝隙对入射电磁波的屏蔽作用入手来分析。缝隙的屏蔽作用由两部分构成：其一，由于缝隙开口处的阻抗与自由空间的阻抗不同而造成的反射损耗；其二，当电磁波投入缝隙后，在缝隙内传输时产生的传输损耗。4防止屏蔽体孔缝电磁泄漏的工程措施41屏蔽门的电磁密封措施对于安装在屏蔽室上的屏蔽门，由于门扇与门框之间存在门缝，必须采取电磁密封措施。通常采用由锡磷青铜或铍青铜制成的梳形簧片，可确保门缝在频繁活动的情况下仍具有良好的电气接触。亦可在门缝处安装导电衬条，通过与门框之间的挤压实现电磁密封。在对磁场屏蔽有较高要求的场合，还可采用充气推拉门，门缝内外两侧装有簧片和气囊，从而获得比较理想的电磁密封效果。不同屏蔽要求的屏蔽室，可选用采用不同电磁密封措施因而具有不同屏蔽效能的屏蔽门。42防止通风窗口电磁泄漏的措施为了防止屏蔽室通风窗口造成的电磁泄漏，最重要的是如何合理设计窗的位置、形式和尺寸；此外还可采用以下措施：在应用这些手段时，合理设计其结构形式和尺寸同样是至关重要的！（1） 在通风窗口上覆盖金属网。金属丝网的屏蔽效能与丝网材料的电导率、金属丝直径和网孔的疏密程度等因素有关。一般来说，丝网材料电导率高，网丝粗，网孔密，屏蔽效能好。但当频率高于100MHz时，屏蔽效能开始下降。因此，频率较高时不适用。（2） 用穿孔金属板作通风窗口。穿孔金属板的屏蔽性能优于金属丝网，但通风效果不如金属丝网。（3） 截止波导式通风孔。金属丝网和穿孔金属板只适用于入射频率低于100MHz且屏蔽效能要求不高的场合。但截止波导式通风孔则有广泛的适应性，其屏蔽效能高，工作频段宽，即使在微波波段仍有较高的屏蔽效能，而且机械强度高，工作稳定可靠。与金属丝网和穿孔金属板相比，截止波导式通风孔优点显著，其缺点是体积大，成本高。第三章 有限元原理Ansoft HFSS软件是应用有限元方法的原理来编制的，了解有限元方法求解三维开口腔体的场，对于我们灵活、准确地使用Ansoft HFSS软件来仿真孔缝电磁耦合问题能够提供帮助。使用有限元法求解电磁场时，有必要引入一个包围该物体的虚构面，将无限的区域截断为有限的体积。为了解的唯一性，在虚构面上需要一种边界条件，且这种边界条件应该使虚构面对外散射场尽可能透明。这里边界条件设为吸收边界条件。索末菲辐射条件为 （1）令则(1)式可写成 （2）上式可应用于散射场，为了获得可用于总场的相应吸收条件，我们将代入（2）式，可得 为了简化，可写为其中 把索末菲辐射条件用于描述虚构面S上的场，应用广义变分原理，可得出变分表达式： 计算带孔缝的腔体，假设在腔体内无源，那么腔内的电场满足矢量波动方程 在腔体壁上，切向电场为零。因此 在腔体壁上在腔体开口处，切向电场和磁场在腔体开口处必须连续，即 对腔体内的场，满足等效变分问题为 在腔体壁上其中为了离散F，腔体被划分为许多小的体积单元，选择适当的差值函数，建立方程组，利用边界条件求解方程组，就可得到腔体内的场。第四章 创建项目一、打开HFSS并保存一个新项目1 双击桌面上的HFSS9图标，启动HFSS。启动后的程序工作环境如图：图41 HFSS工作界面2打开File选项(alt+F),单击Save as。找到合适的目录，键入项目名 shielding_effect。图42 保存HFSS项目二、加入一个新的HFSS设计1 在Project菜单，点击insert HFSS Design选项。( 或直接点击图标。)一个新的工程被加入到shielding_effect项目中，默认名为HFSSModeln。 图43 加入新的HFSS设计2 为设计重命名。在项目树中选中HFSSModel1,单击鼠标右键，再点击Rename项，将设计重命名为shielding_effect。图44 更改设计名三、选择一种求解方式1在HFSS菜单上，点击Solution Type选项. 2选择源激励方式，在Solution Type 对话框中选中Driven Mode项。 图45 选择求解类型 图46 选择源激励方式四、设置设计使用的长度单位1在3D Modeler菜单上，点击Units选项. 2选择长度单位，在Set Model Units 对话框中选中cm项。 图45 选择长度单位 图46 选择cm作为长度单位第五章 建立几何模型 一、加入屏蔽机箱shielding_box1在Draw菜单中，点击Box选项（或直接点击图标）；图51 通过菜单加入一个Box2输入参数随意用鼠标建立一个长方体模型后，HFSS系统会自动弹出长方体属性对话框。在对话框的Command页里输入我们需要的尺寸：图52 设置长方体shielding_box的几何尺寸这里设置长方体的基坐标为(x=15cm,y=6cm,z=15cm); 三边长度：x方向30cm, y方向12cm, z方向30cm。3设置长方体属性单击Attribute项，在Attribute页我们可以为长方体设置名称、材料、颜色、透明度等参数。将属性栏中的名称改为shielding_box，将透明度设为0.8。设置完毕后，同时按下ctrl和D键(ctrl+D)，将视图调整一下。图53 设置长方体的各项属性 图54 绘出shielding_box后的视窗二、给屏蔽机箱开缝1同1方法画一个长方体，基坐标为(x=5cm,y=0.5cm,z=14.9cm); 三边长度：x方向10cm, y方向1cm, z方向0.2cm，名字为slot，材料为vacuum，并且将该物体透明度改为0.8，见图55所示。图55 设置长方体slot的几何尺寸2给机箱开缝在操作历史树中利用ctrl键先选中shielding_box, 再选中slot；在3D Modeler菜单上，点击Boolean选项,再选择Subtract项。（或直接点击图标）跳出subtract对话框，点击OK即可。图56 通过菜单进行subtract操作 图57 subtract对话框 图58 开缝后的屏蔽机箱shielding_box视图三、加入PCB板1同1方法画一个长方体，基坐标为(x=6cm,y=3cm,z=14cm); 三边长度：x方向12cm, y方向6cm, z方向0.3cm，名字为pcb_substrate，材料为vacuum，并且将该物体透明度改为0.8。图59 设置长方体pcb_substrate的几何尺寸2同1方法画一个长方体，基坐标为(x=0.312cm,y=3cm,z=13.7cm); 三边长度：x方向0.624cm, y方向6cm, z方向0.05cm，名字为pcb_trace，材料为vacuum，并且将该物体透明度改为0.8。图510 设置长方体pcb_trace的几何尺寸 图511 内置PCB板的屏蔽机箱的视图四、输入分析空间air同1方法画一个长方体，基坐标为(x= 30cm,y=21cm,z=30cm); 三边长度：x方向60cm, y方向42cm, z方向60cm，名字为air，材料为vacuum，并且将该物体透明度改为0.8。图512 设置长方体air的几何尺寸图513 内置PCB板的屏蔽机箱的最终视图五、设置变量1在slot中设置变量在操作历史树中,点击shielding_box前+号将其展开；选中slot下的CreateBox单击鼠标右键，点击Properties项（或直接在command窗口修改）。修改Position，把原来的5,0.5,14.9改为slot_length/2，slot_width/2，14.9cm； 因为slot_length，slot_width变量从来没有定义过，HFSS系统会自动跳出变量定义框。我们将slot_length定义为10cm，slot_width定义为1cm（注意：不要忘记了写单位cm）。最后将XSize改为slot_length；YSize改为slot_width。第六章 设置材料、边界和激励源一、设置材料1设置pcb_trace的材料为perfect conductor.在操作历史树中选中pcb_trace；点击鼠标右键，选择Assign Material项。出现材料库对话框，选择perfect conductor后点击确定。 图61通过菜单进行材料分配操作图62 材料库对话框2模仿以上步骤把pcb_substrate的材料设为Rogers4003。（提示：可用材料名在材料库中搜索）3air已被系统默认设置为真空，无需更改。二、设置边界条件1将shielding_box设为Perfect E Boundary. 将模型取面设置，如图63操作，点击菜单上的EditSelectBy Name（图64），将跳出一个对话框（图65），选中shielding_box中的（face7-face12），点击OK键，然后单击鼠标右键，进入Assign Boundary选项，点击Perfect E Boundary选项，如图66。此时HFSS系统提示你为此边界命名，使用默认设置即可。 图63 取面操作 图64选面操作图65 选面对话框图66 通过菜单设置边界条件2将孔缝slot设为Perfect H Boundary.模仿上面的操作，将shielding_box的（face62face66）设为Perfect H Boundary。3将pcb_substrate的底面设为Perfect E Boundary. 模仿上面的操作，将pcb_substrate的face90设为Perfect E Boundary。 图67 选面对话框4将air设置成辐射边界条件在操作历史树中选中air，单击鼠标右键，进入Assign Boundary选项，点击Raditation选项。此时HFSS系统提示你为此边界命名，我们把此边界命名为air。然后点击跳出对话框上的OK。图68 通过菜单设置边界条件图69 为边界条件命名三、设置激励源用鼠标点击菜单中的HFSSExcitationsAssignIncident Wave，弹出一对话框（图611），此时HFSS系统提示你为此边界命名，使用默认设置即可。然后点击下一步，弹出另一对话框（图612），系统提示设置入射波的传播方向，电场矢量方向及大小。这里设置传播方向k Vector为(0,0,-1)，电场矢量方向及大小E0 Vector为(0,1000V/m,0)。图610 通过菜单设置激励源图611 设置入射波的名称图612 设置入射波的传播方向，电场矢量方向及大小至此材料、边界条件和激励源已分配完毕。第七章 解的产生一、设置求解条件1在Project Manager的Analysis上右击鼠标，选择Add Solution Setup，如图71所示图71 在project manager中设定解这时会系统会弹出求解设置对话框，我们把参数设为：点频为550MHz, 最大迭带次数30，最大误差0.1。图72 设置求解条件2在点频基础上设定扫频Sweep在project工作区中点开Analysis前的“”号，选中点频设置Setup1；点击鼠标右键，选择Add Sweep 项。图73在project区设置扫频条件确定扫频方式为Discrete 。 在Frequency Setup 中，选择Type : Linear Count,设置起始频率为0.1GHz,终止频率1GHz,分为37份；保留场（将Save Fields打勾）。图74设置扫频条件将求解的条件设好后，我们来看看HFSS的前期工作是否完成，在HFSS菜单下，点击validation check。（或直接点击图标）图75 通过菜单进行验证操作图76 通过验证再次选中Project工作区的Analysis；点击鼠标右键，选中Analyze即可开始求解。（或直接点击图标）图77 对问题进行分析二、后处理先编辑源HFSSFieldsEdit Fields，选择Total Fields源。1查看电场屏蔽效能曲线图（1）先设定为Non Model模式，然后在菜单中点击DrawLine，画一条直线，坐标为Point1(0,0,-10)，Point2(0,0,10)。图78取Non Model模式图79 画直线(2) 设定输出变量Output Variables在project manager里Results上点击鼠标右键，选中Output Variables，将弹出一对话框，输入变量的名称：Shielding_Effect，表达式：。图710设定输出变量Output Variables图711设定输出变量表达式(3)查看曲线在project manager里Results上点击鼠标右键，选中Create Report，将弹出一对话框，点击OK，又弹出一对话框：把对话框左边Context里的Solution选中Setup1:Sweep1点击Category中的Output Variables，选择Shielding_Effect然后点击Sweep， 把Name下的第一行选为Freq，并选中All Values。接着把Name下的第二行选中Normalize 栏中的Points,并点击Edit Sweep，将弹出一对话框，设定直线的长度，这里只取屏蔽机箱的中心一点，输入Start Value：0.5，End Value：0.5，Numble of Values：1，点击Update Values和OK。图712 选取报告 图713 Create Report窗口图714选取输出变量图715设定输出变量的坐标分量图716 设定中心点设置完毕后，点击图715的Add Traces和Done，系统就开始生成屏蔽效能曲线。图717电场屏蔽效能曲线显示结果2设置参数分析我们将示范 ：改变孔缝（slot）的宽度值，来观察屏蔽机箱中心的屏蔽效能随宽度的变化情况。2.1创建参数分析2.1.1选择菜单项HFSS Optimetrics Analysis Add Parametric2.1.2编辑 Setup Sweep Analysis 窗口（1）点击 Setup Sweep Analysis 窗口右上端的 Add 键编辑随之出现的 Add/Edit Sweep Dialog 窗口 （2）在Add/Edit Sweep Dialog 窗口的 Variable 的下拉式菜单中选择 slot_width 在递增方式选列中选择 : Linear step在 Start 栏 输入： 1 cm在 Stop 栏 输入： 3 cm在 Step 栏 输入： 2 cm （3）点击Add/Edit Sweep Dialog 窗口中部的 Add 键 （4）点击Add/Edit Sweep Dialog 窗口底部的 OK 键2.1.3设置分析起始参数（1）点击 Setup Sweep Analysis 窗口顶部的 General 键 （2）选择 Setup1（3）选择 （4）点击 Override 键（5）单击 确定 键 ，完成起始参数的设定。2.1.4参数设置完成2.2运行参数分析在 项目 栏扩展 Optimetrics 部分，用鼠标右键点击 ParametricSetup1 点击 Analyze。2.3创建参数曲线（1）选择菜单项 HFSS Results Create Report（2）Create Report Window :Report Type : FieldsDisplay Type : Rectangualr Plot 点击OK键 （3）在算法参数选择框中选择： Setup1 :Sweep1 （4）Sweeps设置1点击Sweeps选择键2选择Sweep design and project variable values3在下面的参数列表区域用鼠标左键单击第一行Normalize项，在随之出现的下拉式菜单中点击 Freq ，并选择右侧频点列表上端的All Values。4用鼠标左键点击 Normalize 栏中的Points，然后点击下面的Edit Sweep键，按下图设置，点击Update Values键，点击OK键即可，这样是取机箱中心点。5用鼠标左键双击 slot_width 栏 , 并选择右侧频点列表上端的All Values。（5）X轴变量设置点击X轴变量选择键去除Use Primary Sweep 选择在 类别 区域 选择 Variables , 在 变量 区域选择Freq（6）Y 轴参量设置 点击Y轴参量选择键在 类别 区域选择 Output Variables, 在 变量 区域选择 shielding_effect。（7）完成曲线参数的修订点击 Add Trace 键点击 Done 键 ，完成曲线参数的修订 （8）观察参数曲线 3. 场分布在操作历史树中点开Planes前的“”号，选中Global:xz，然后用鼠标右键点击project manager里Field OverlaysPlot FieldsComplexMag_E。 图718 选取一个面 图719设定电场分布弹出如图720对话框，设置Solution : Setup1 Sweep1,设定频率为0.7GHz，点击Done，就出现电场分布视窗。为了能更清楚查看场的分布，可调整输出刻度，用鼠标右键点击project manager，选择FieldOverlaysModify AttributesE Field，点击OK键，弹出如图721对话框，进行设置。图720 设定电场频率图721调整刻度设置图722 f=700MHz电场分布视窗 图723 f=500MHz电场分布视窗4.电流计算平面波入射到PCB板上，PCB板上的微带线会有感应电流产生。4.1在操作历史树中选中pcb_trace,单击鼠标右键，选中Plot FieldsComplexMag_Jvol。就出现PCB板上微带线的电流密度分布视窗。图724 f=550MHz时PCB板上微带线的电流密度分布4.2电流计算用HFSS的计算器可计算PCB板上微带线的感应电流。磁场强度沿任意闭合路径的积分等于该路径所包围曲面上的全电流。在要计算电流的位置，取一条环绕微带线的闭合曲线，闭合曲线需与电流方向垂直。创建积分线currentline1先设定为Non Model模式，然后在菜单中点击DrawLine，输入第一点的位置坐标(0.312，3，13.7)，然后单击回车键输入第二点的位置坐标(0.312，3，13.65)，然后单击回车键输入第三点的位置坐标(0.312，3，13.65)，然后单击回车键输入第四点的位置坐标（0.312，3，13.7），然后单击回车键输入第五点的位置坐标(0.312，3，13.7)，然后双击回车键把名称设置为currentline1，点击确定键。启动Fields Calculator选择菜单项HFSS Fields Calculator (或点击快捷键) Fields Calculator 功能简介.输入控制键Quantity ：基本的复数矢量场，例如，Geometry ：几何结构，例如面，点，线，体2. 全面控制键2.1 Complex ：控制复数运算Real：取复数的实部Imag：取复数的虚部ComplxMag：取复数的模值CmplxReal : 转换实标量为复数的实部CmplxImag : 转换实标量为复数的虚部 2.2 +(Add) : 寄存器之间的加法运算 . 标量控制键（Integral ）Command ：标量沿线，面，体的积分. 矢量控制键Tangent Command: 求矢量沿线的切向分量5. 输出控制键Value Command : 计算某一点处的场值（例如某点处标量值）Eval Command : 通过内部数据处理在数据栈顶部显示场量的函数运算结果（例如积分）6. 寄存器RegistersVec : 矢量，x,y,z三个方向分量都存储在寄存器中。空间中每个点同时拥有方向和大小Cvc : 复数矢量Scl ：标量 ，只有大小Csc : 复数标量Lin : 在HFSS设计中创建的非模型（Non Model）线SclLin: 线上的标量值7. 栈控制键Push : 复制数据栈顶部的寄存器Pop ： 删除数据栈顶部的寄存器Exch ：交换数据栈顶部的两个寄存器的上下排列顺序Clear： 清除数据栈中的寄存器Undo ：清除最后一次操作在Fields Calculator中添加电流参数表达式1.在Fields Calculator 中添加电流实部表达式1.1 在Fields Calculator面板的输入控制键区域点击Quantity ,数据栈中显示寄存器：CVC:1.2 取磁场矢量的实部在Fields Calculator面板的全面控制键区域点击Complex Real, 数据栈中显示寄存器：Vec : Real( )1.3 加载积分线在Fields Calculator面板的输入控制键区域点击Geometry Line currentline1,进一步点击OK键，在数据栈顶部会显示 Lin : Line (currentline1 ,1000) 1.4 求磁场矢量沿积分线的切向分量在Fields Calculator面板的矢量控制键区域点击Tangent,数据栈中显示寄存器：SclLin：Value(Line(currentline1，1000)，Dot(Real()，Tangent(Line(currentline1，1000) 1.5 得到电流实部表达式在Fields Calculator面板的标量控制键区域点击积分控制键，数据栈中显示寄存器：Scl : Integrate(Line(currentline1,1000),Dot(Real( ),Tangent(Line(currentline1,1000)1.6 在Fields Calculator 中添加电流实部表达式单击Fields Calculator面板左上部的Add键 在随之出现的Named Expression窗口中输入Name: current_real点击OK 键 1.7在Fields Calculator面板的命名表达式区域确认电流实部表达式将命名表达式区域右侧的滑标移动到底部，即可看到我们设置的电流实部表达式2. 在Fields Calculator 中添加电流虚部表达式2. 在Fields Calculator面板的输入控制键区域点击Quantity ,数据栈中显示寄存器：CVC:2.2 取磁场矢量的虚部在Fields Calculator面板的全面控制键区域点击Complex Imag, 数据栈中显示寄存器：Vec : Imag ( )2.3 加载积分线在Fields Calculator面板的输入控制键区域点击Geometry Line currentline1,进一步 点击OK 键在数据栈顶部会显示Lin : Line (currentline1 ,1000)2.4 求磁场矢量沿积分线的切向分量在Fields Calculator面板的矢量控制键区域点击Tangent,数据栈中显示寄存器：SclLin：Value(Line(currentline1，1000)，Dot(Imag( )，Tangent(Line(currentline1，1000)2.5 得到电流虚部表达式在Fields Calculator面板的标量控制键区域点击积分控制键，数据栈中显示寄存器：Scl:Integrate(Line(currentline1，1000)，Dot(Imag( )，Tangent(Line(currentline1，1000)2.6 在Fields Calculator 中添加电流虚部表达式单击Fields Calculator面板左上部的Add键 在随之出现的Named Expression窗口中输入Name: current_imag点击 OK 键3. 在Fields Calculator 中添加电流值表达式3.1 将命名表达式区域右侧的滑标移动到底部，即可看到我们设置的电流实部和虚部表达式3.2 将Fields Calculator面板的命名表达式区域右侧的滑标移动到底部，用鼠标左键点击current_real,进一步点击Copy to stack,数据栈中显示寄存器 ：Scl :current_real3.3 在Fields Calculator面板的全面控制键区域选择Complex CmplxReal ,数据栈中显示寄存器CSc:CmplxR(current_real)34同理，选择命名表达式中的current_imag,点击Copy to stack，进一步在FieldsCalculator面板的全面控制键区域选择Complex CmplxImag,此时在数据栈顶部显示寄存器CSc:CmplxIcurrent_imag)3.5 在Fields Calculator面板的全面控制键区域选择（Add）此时在数据栈顶部显示寄存器