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文档简介

1、垂直腔面发射激光器（VCSEL ） 制作工艺简介,Beijing Asia Science&Technology,1,VCSEL基本简介,垂直腔表面发射激光器(Vertical Cavity Surface Emitting Laser,即VCSEL) 区别于边发射激光器沿平行于衬底表面、垂直于解理面的方向出射，而是面发射激光器其出光方向垂直于衬底表面，如下图：,边发射激光器（a）,面发射激光器(b),2,VCSEL基本简介-基本构成,1977 年，日本东京工业大学的伊贺健一(KenichiIga)提出 VCSEL 的概念，其光学谐振腔与半导体芯片的衬底垂直，能够实现芯片表面的激光发射。典型的

2、 VCSEL 为顶发射结构。结构示意图如下图 所示,VCSEL的结构示意图,（顶部布拉格反射器（P-DBR）、谐振腔和底部N-DBR）,3,VCSEL的制作总工艺过程,工艺过程总流程图,侧向选择氧化制备工艺流程图,4,VCSEL的制作总工艺过程,工艺制备图,侧向选择氧化制备工艺流程图,5,外延材料制备,MOCVD,侧向选择氧化制备工艺流程图,n-DBR,GaAs substrate,active,P-DBR,P-ring contact,6,VCSEL的制作芯片工艺与关键设备,芯片流片,芯片流片过程,7,外延材料制备,沉积SiO2,侧向选择氧化制备工艺流程图,n-DBR,GaAs substr

3、ate,P-ring contact,8,外延材料制备,光刻+腐蚀 做SiO2掩膜,侧向选择氧化制备工艺流程图,n-DBR,GaAs substrate,P-DBR,P-ring contact,9,外延材料制备,台面腐蚀,侧向选择氧化制备工艺流程图,n-DBR,GaAs substrate,active,P-DBR,P-ring contact,10,外延材料制备,去掩膜,侧向选择氧化制备工艺流程图,n-DBR,GaAs substrate,active,P-DBR,P-ring contact,11,外延材料制备,局部氧化,侧向选择氧化制备工艺流程图,n-DBR,GaAs substrate,active,P-DBR,P-ring contact,12,外延材料制备,沉积SiO2,侧向选择氧化制备工艺流程图,n-DBR,GaAs substrate,active,P-DBR,P-ring contact,13,外延材料制备,光刻、刻蚀、开窗,侧向选择氧化制备工艺流程图,n-DBR,GaAs substrate,active,P-DBR,P-ring contact,14,外延材料制备,光刻、电极、出光孔,侧向选择氧化制备

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