微机原理与接口技术第3章.ppt

1、第三章内存，教育重点半导体内存配置筹码SRAM 6264筹码EPROM 2764 SRAM，EPROM与CPU连接，3.1概述，1，存储的基本概念现代计算机将编程程序和需要处理的数据预先存储在内存中，从而使计算机能够脱离人的干扰自动运行。在电脑系统中，输入设备在CPU的控制下将程序和数据发送到内存，CPU从内存中提取程序，按照程序的指示控制计算机的操作，并正确处理内存中的数据。最终输出设备在CPU控制下将存储结果发送到打印显示器。第二，存储的性能指标，第一，存储容量存储容量是存储可容纳的二进制信息量。如果计算机的内存由多个内存芯片组成，则存储容量为每个筹码存储容量的总和。存储容量的典型单位包括

2、字节(Byte)、千字节(KB)、兆字节(MB)和吉字节(GB)。1kb=210 b=1024 B1 MB=1024 kb=1048576 b=220 B1 GB=1024 MB=1048576 kb=1073741824 b=230 b，2，访问也称为存储访问时间，显示为TA。目前，大多数计算机在TA上从纳秒(ns)数量级到数十纳秒。读/写周期是存储完成完全访问操作所需的时间，即存储执行两个独立操作(读取或写入)所需的时间间隔，即存储周期(以TM表示)。一般来说，TM比TA稍大。这是因为存储在读和写操作之间需要一定的时间，某些存储需要刷新时间。访问速度是每秒从阵列读取和写入的信息量，即BM，

3、如果W是发送到阵列的数据的宽度(位或字节)，则BM=W/TA，单位是位/秒或字节/秒。2，访问速度(继续)，3，存储分类，存储，主存储，外部存储，1，主存储，简单地直接从主内存，(也称为内存)，CPU进行快速读写操作。2，外部内存，即外部内存(也称为辅助内存)，运行速度低，无法与CPU直接交换数据。必须先将程序和数据发送到内存，然后CPU才能处理它们。，除了使用磁、光原理的辅助内存外，其他内存主要使用半导体内存。牙齿章节介绍了半导体存储器及其构成主存储器的使用方法，3.2半导体存储器的工作原理，1，半导体存储器的分类。制造工艺阳极型：速度、集成度低、功耗大的MOS型：速度、集成度高、功耗低、使

4、用属性特定的随机存取存储器RAM:可读写、功率损失只读内存ROM:正常只读、功率损失无、详细分类、图参考、半导体内存分类PROM:允许一次编程，此后不能更改EPROM。用紫外线擦除，擦除，编程。可以多次清除EEPROM(E2PROM)并对其进行编程。这意味着您可以使用加电方法联机清除、编程或多次清除Flash Memory(闪存)。可以快速拭除的EEPROM只能作为“块”(Block)拭除。其次，根据用于存储半导体存储器的信息地址解码电路的输入地址编码，筹码内的特定存储设备切片选择和读/写控制逻辑选择内存筹码、读/写控制操作、存储(存储矩阵)、每个存储单元都具有唯一的地址。1位(位片结构)或多

5、位(筹码结构)二进制数据存储容量与地址、数据线数有关。芯片的存储容量2MN存储设备数存储设备的比特m:芯片的地址行根数n:芯片的电缆根数，例如，地址解码电路，单解码结构双解码结构双解码简化了筹码设计。有效时，筹码内数据输出控制端该系统的读取控制线写入WE*控制写入操作。有效时，数据进入芯片的牙齿控制端相应系统的写入控制线，3，半导体存储器的读取和写入操作，CPU向内存发出读取操作命令时，主存储顺序执行以下操作：(1) CPU控制将相应存储设备的地址代码发送到地址寄存器中。(2)地址解码器通过将地址寄存器内的地址代码翻译成相应的行、列信号来校正被访问的存储设备。(3)在CPU的集成控制下，将控制

6、电路读取命令转换为读/写电路操作，以便通过数据线传输存储单元的内容。(4)在CPU控制下，将数据线中的信息传递到CPU内部的指定部件，以完成存储读取操作。3，半导体存储器读写操作(继续)、存储写入操作可以描述为：(1)在CPU控制下要访问的存储设备地址代码地址寄存器，(2)地址解码器通过将地址寄存器内的地址代码翻译成相应的行、列信号来显示要访问的存储设备。(3)在CPU控制下，将CPU内的部件内容发送到数据线。(4)在CPU的统一控制下，控制电路将写入命令转换为相应的读/写电路操作，并将来自数据线的信号发送到指定设备以完成存储写入操作。、3.3 RAM结构和公用筹码、静态RAM SRAM 21

7、14 SRAM 6264、动态RAM DRAM 4116 DRAM 2164、1、RAM结构、SRAM中的主存储单元是触发器电路每个主存储单元存储二进制数一个主存储单元形成行存储矩阵SRAM通常在每个存储单元上具有多个位(4每次刷新一行的存储单元的每个基本存储单元存储二进制数一位数多的基本存储单元形成矩阵DRAM通常存储“位结构”:每个存储单元存储1上8个内存筹码配置1字节单位每个字节存储单元1个地址，2，2，2，2，2，2，2，2 存储容量18个10244针：10条地址线A9A0 4条电缆I/O4I/O1条电缆选择CS*读写WE*，功能，SRAM筹码6264，存储容量8K8 28针：13条地址线A12A0 8条电缆选择D7D0条CSS eproprod ，2，EPROM，顶部有圆形石英窗口，紫外线清除现有信息，一般使用专用程序员(燃烧器)编程，然后贴上不透明封条。在工厂未编程的情况下，每个基本存储设备都是信息1编程。即，将部分设备记录在信息0、2、常规ROM筹码2716中。存储容量2K8 24针：11条地址线A10A0 8条数据线DO7DO0选择/编程CE*/PGM读/写OE*编程电压VPP，功能，EPROM筹码2764，存储容量8K