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文档简介
场效应晶体管的类型场效应晶体管的类型按照反型层类型的不同,MOSFET可分四种不同的基本类型
N沟MOSFET:P沟增强型:VG=0,器件没有导通P沟耗尽型:VG=0,器件已经导通
P沟MOSFET:P沟增强型:VG=0,器件没有导通P沟耗尽型:VG=0,器件已经导通
6.8场效应晶体管的类型
场效应晶体管的类型表6.2四种器件的截面、输出特性和转移特性
6.8场效应晶体管的类型表6.2四种器件的截面、输出特性和转移特性
小结饱和区跨导:对式(6-74)求导
饱和区的漏极电阻
栅极电容
=ZL
(6-79)(6-80)(6-81)小结给出了交流等效电路图6-20计算了截止频率
提高工作频率或工作速度的途径:沟道长度要短,载流子迁移率要高。
(6-82)制备出一个标准MOSFET,相关参数为:
MS=-0.89eV,QM=0,QIT=0,
xo=0.05
m,AG=10-3cm2,NA=1015/cm3,假设T=300K。确定平带电压VFB。确定反型开始对应的栅电压VTh给定的MOSFET是增强型MOSFET还是耗尽型MOSFET图1图2等效电路和频率响应
(4)如果MOSFET中内部状态如下图1所示,在图2所示的ID-VD特性曲线上确定相应的工作点(5)若在VG-VTh=3V、VD=1V情况下,MOSFET的漏断电流ID=2.5
10-4A,采用平方律关系,求在VG-VTh=3V、VD=4V情况下的漏断电流?等效电路和频率响应
(1)
(2)(3)由于
,MOSFET开始导通,在VG=0时器件导通,因此是耗尽型MOSFET(4)可见MOSFET沟道被夹断,相应于饱和开始的点为点D。(5)如果
MOSFET工作夹在夹断前的情况,由平方定律公式,有
当VG-VT=3V,VD=4V,器件进入饱和,有
等效电路和频率响应
室温下理想P沟MOSFET(1)VD=0,器件开启
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