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场效应管与晶体管的比较场效应管与晶体管的比较

场效应管三极管单极性：多子双极型：多子和少子压控型流控型Ri很大Ri较小跨导较小β大JFET的d,s可互换c,e互换β很小温度稳定性好温度稳定性差可作压控电阻当VDS增加到使VGD=VT时，当VDS增加到VGD

VT时，

这相当于VDS增加使漏极处沟道缩减到刚刚开启的情况，称为预夹断。此时的漏极电流ID基本饱和。

此时预夹断区域加长，伸向S极。VDS增加的部分基本降落在随之加长的夹断沟道上，ID基本趋于不变。iD=f(vGS)

vDS=C转移特性曲线iD=f(vDS)

vGS=C输出特性曲线vDS(V)iD(mA)当vGS变化时，RON将随之变化，因此称之为可变电阻区恒流区(饱和区)：vGS一定时，iD基本不随vDS变化而变化。vGS/V三、N沟道增强型MOS场效应管特性曲线一、N沟道耗尽型MOS场效应管结构+++++++

耗尽型MOS管存在原始导电沟道耗尽型MOS场效应管

当VGS=0时，VDS加正向电压，产生漏极电流iD,此时的漏极电流称为漏极饱和电流，用IDSS表示。当VGS＞0时,将使iD进一步增加。当VGS＜0时，随着VGS的减小漏极电流逐渐减小，直至iD=0，对应iD=0的VGS称为夹断电压，用符号VP表示。VGS(V)iD(mA)VPN沟道耗尽型MOS管可工作在VGS0或VGS>0N沟道增强型MOS管只能工作在VGS>0二、N沟道耗尽型MOS场效应管工作原理输出特性曲线VGS(V)iD(mA)VP转移特性曲线三、N沟道耗尽型MOS场效应管特性曲线绝缘栅场效应管N沟道增强型P沟道增强型各类绝缘栅场效应三极管的特性曲线绝缘栅场效应管

N沟道耗尽型P沟道耗尽型2.夹断电压VP：是耗尽型FET的参数，当VGS=VP时,漏极电流为零。3.饱和漏极电流IDSS

耗尽型场效应三极管当VGS=0时所对应的漏极电流。1.开启电压VT：MOS增强型管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值,场效应管不能导通。4.直流输入电阻RGS:栅源间所加的恒定电压VGS与流过栅极电流IGS之比。结型:大于107Ω，绝缘栅:109～1015Ω。5.漏源击穿电压V(BR)DS:使ID开始剧增时的VDS。6.栅源击穿电压V(BR)

GSJFET：反向饱和电流剧增时的栅源电压MOS：使SiO2绝缘层击穿的电压1.4.3场效应管的主要参数7.低频跨导gm

：反映了栅源压对漏极电流的控制作用。8.输出电阻rds9.极间电容Cgs—栅极与源极间电容Cgd—栅极与漏极间电容

Csd—源极与漏极间电容N沟道P沟道增强型耗尽型N沟道P沟道N沟道P沟道（耗尽型）FET场效应管JFET结型MOSFET绝缘栅型(IGFET)图各种场效应管的符号对比图各种场效应管的符号对比图各种场效应管的转移特性和输出特性对比

(a)转

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