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pn结电流定性描述pn结电流定性描述8.1pn结电流理想电流电压关系8.1pn结电流理想电流电压关系理想假设1、耗尽层突变近似。空间电荷区的边界存在突变，且耗尽区以外的半导体区域是电中性的。2、载流子统计分布复合麦克斯韦-玻尔兹曼近似。3、复合小注入条件。4(a)、pn结内的电流值处处相等。4(b)、pn结内的电子电流与空穴电流分别为连续函数。4(c)、耗尽区内的电子电流与空穴电流为恒定值。8.1pn结电流理想电流电压关系计算流过p-n结电流密度的步骤：1、根据费米能级计算耗尽区边界处注入的过剩少子浓度。2、以边界处注入的过剩少子浓度作为边界条件，求解扩散区中载流子连续性方程——双极输运方程。得到过剩载流子分布表达式。3、将过剩少子浓度分布带入扩散电流方程得到扩散电流密度。4、将两种载流子扩散电流密度相加，得到理想p-n结电流电压方程。8.1pn结电流理想电流电压关系1、边界条件边界条件的确定p区内：p区内少子电子浓度：n区内少子空穴浓度：8.1pn结电流理想电流电压关系8.1pn结电流理想电流电压关系2、少数载流子分布——解双极输运方程小注入n型半导体双极输运方程：当x>xn时，E=0，且令g‘=0，pn结处于稳态。8.1pn结电流理想电流电压关系8.1pn结电流理想电流电压关系3、理想pn结电流Xn处少子空穴扩散电流密度：-Xp处少子电子扩散电流密度：8.1

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