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文档简介
MIS结构的C-V特性
1.总电容C
VG=V0+VS
在MIS结构上加电压VG后,电压VG的一部分Vo降在绝缘层上,而另一部分降在半导体表面层中,形成表面势Vs,即因是理想MIS结构,绝缘层内没有任何电荷,绝缘层中电场是均匀的,以表示其电场强度,显然d0
绝缘层厚度由高斯定理QM金属表面的面电荷密度,
0r绝缘层的相对介电常数Qs半导体表面的面电荷密度Co
绝缘层电容MIS结构电容Cs为半导体空间电荷区电容MIS结构电容相当于绝缘层电容和半导体空间电荷层电容的串联MIS结构的等效电路称为归一化电容
称为德拜长度其中:强反型出现VG<0VS<0,VG=0,VG>0,VG>>0多子堆积,平带,多子耗尽,反型少子堆积VG变化
VS变化能带弯曲
电荷分布变化
N型半导体表面空间电荷层的四种基本状态
1)
VG>0,VS>0能带下弯,ns>(n0)n多子的堆积
•••••EF2)VG=0,VS=0平带3)VG<0,VS<0能带上弯,ns<(n0)n为电子势垒
+++
电离施主4)VG<<0++
°°°空穴
表面处形成了p型材料,即反型层
多子耗尽EFEi弱反型:ns<p
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