信息功能材料与元器件智慧树知到期末考试答案章节答案2024年西华大学_第1页
信息功能材料与元器件智慧树知到期末考试答案章节答案2024年西华大学_第2页
信息功能材料与元器件智慧树知到期末考试答案章节答案2024年西华大学_第3页
免费预览已结束,剩余4页可下载查看

下载本文档

版权说明:本文档由用户提供并上传,收益归属内容提供方,若内容存在侵权,请进行举报或认领

文档简介

信息功能材料与元器件智慧树知到期末考试答案+章节答案2024年西华大学石墨烯性能特变包括

答案:高比表面积###高头透光率###高机械性能###高电子迁移率可用于超级电容器电极材料包括

答案:金属氮化物###碳气凝胶###石墨烯###金属氧化物以下哪些属于热化学气相淀积()

答案:金属有机物化学气相淀积###常压化学气相淀积###低压化学气相淀积厚膜导电浆料具有以下哪些特性()

答案:稳定性高###电导率高###附着力强###可焊性好半导体激光器实现激光需要满足粒子数反转分布的条件是()

答案:准费米能级进入导带和价带###准费米能级之差大于禁带宽度以下哪些成膜工艺属于溅射镀膜()

答案:磁控溅射###直流溅射###反应溅射导体材料的电阻与以下哪些因素有关()

答案:材料的厚度###材料的性质###材料的几何尺寸影响烧结性能的因素有()

答案:最高烧结温度###升降温速率###烧结次数###保温时间介质的复介电常数是综合地反映下面(

)微观过程的宏观物理量

答案:分子中正、负离子的(相对)位移极化###分子固有电矩的转向极化###原子核外电子云的畸变极化往价电子数为4的Si中掺杂价电子数为5的P形成()半导体。

答案:n型###非本征按工作物质的不同,激光器可分为()

答案:固体激光器###气体激光器###液体激光器###半导体激光器以下方法能够增大热电材料Seebeck系数的有()

答案:提高费米能级附近的状态密度###降低载流子浓度###增大载流子有效质量半导体激光器发生激光需满足的条件包括()

答案:光子增益等于或大于光子损耗###产生足够的粒子数反转分布###注入载流子###具有一个合适的谐振腔,使激射光子增生赝电容原理类型

答案:欠电位沉积###氧化还原反应###嵌入脱出机制理想金属的电阻与以下哪些散射机制有关()

答案:声子散射###电子散射任何两种不同半导体形成异质结后,其能带结构取决于它们的()

答案:电子亲和势###功函数###禁带宽度###表面态导电高分子的掺杂类型

答案:反复掺杂###质子酸掺杂###氧化还原掺杂一般来讲,技术磁化过程存在多种磁化机制,分别是()。

答案:磁畴和磁畴壁的相互作用###磁畴壁的位移运动Seebeck系数的大小和符号取决于两种材料的特性和两结点的温度,以下说法正确的是()

答案:当载流子为空穴时,热端为负,S为正值###当载流子为电子时,冷端为负,S为负值影响电容性能的因素包括

答案:空隙结构###孔径分布###表面与电解液相互作用###比表面积以下属于半导体材料范畴的有()

答案:硅###锗###GaAs击穿是标志电介质在电场作用下保持绝缘性能的极限能力,是决定电力设备,电子元器件最终使用寿命的重要因素

答案:对辐射复合过程中,直接跃迁的发光效率比间接跃迁要高得多。

答案:对非晶态软磁材料是指组成原子、分子的空间排列不呈现周期性和平移对称性,表现为长程有序,短程无序特征的材料。

答案:错晶体结构中无对称中心是产生压电效应的必要条件

答案:对压电体一定是热释电体

答案:错只有pn结能产生光生伏特效应,金属-半导体形成的肖特基结等其他形式的异质结构不能产生光生伏特效应。

答案:错磁性材料可以按照物质的磁性来进行分类,通常来讲,抗磁性、顺磁性是弱磁性,铁磁性、反铁磁性和亚铁磁性属于强磁性。

答案:错半导体的光吸收中,晶格振动吸收属于本征吸收。

答案:错太阳能电池中,半导体材料的禁带宽度越窄,理论上可获得的短路光电流越大,但是光生载流子的复合也越强烈。

答案:对在一定的温度下,顺磁性材料只需要很小的外加磁场作用就能被磁化,反复磁化时还会出现磁滞现象。

答案:错在静电场中,电介质内部可以存在电场,而导体内部不存在电场

答案:对随着半导体内部载流子浓度的升高,其电导率()

答案:增大LED在正向导通时能发光,光的强弱与电流有关,光的颜色与电压有关。

答案:对导电复合膜的顶层是由导电性好、可焊性好、化学稳定性高的金属薄膜构成,主要起导电和焊接作用。

答案:对温度升高,分子热运动加剧,偶极子取向极化减弱

答案:对以下部件中,哪个不属于等离子增强化学气相淀积装置()

答案:加热基座下列不属于提高软磁材料起始磁导率的技术措施是()。

答案:降低矫顽力绝大多数铁氧体的导电特性属于半导体类型,其电阻率随温度的升高按指数规律升高。

答案:错永磁材料和()是根据磁化后磁性保持时间的长短进行分类的。

答案:软磁材料磁性材料在被磁化时,随磁化状态的改变而发生弹性形变的现象,称为()。

答案:磁致伸缩效应下面不属于影响固体电介质电导的因素的是()

答案:气压由于自身结构的原因,()同时具有压电性和热释电性。

答案:铁电体下列与磁头材料性能要求描述不相符的是:()。

答案:高矫顽力,提高效率以下选项中,哪个不是厚膜导体材料的功能()

答案:钝化和保护厚膜元件的表面热击穿的核心问题是()

答案:散热问题两种半导体形成异质结后,空间电荷区的能带在交界面处不连续是由于材料的()不同而造成的。

答案:介电常数根据原材料的不同,磁性材料可分为()和铁氧体材料。

答案:金属材料逆压电效应将()转化为机械能

答案:电能在受到外加磁场作用后,会感生出与外场方向相同的磁化强度,但仅呈现微弱磁性的物质是()

答案:顺磁性材料下列属于软磁材料磁性特点的是:()

答案:饱和磁化强度高###起始磁导率高改善永磁材料性能的关键在于提高材料的剩磁,其中主要技术手段是提高材料的高和磁化强度和提高磁滞回线矩形比两方面。提高矩形比的关键在于增大材料磁各向异性。

答案:对作为磁存储材料,对磁头材料的性能要求描述错误的是()

答案:高矫顽力,易于保存信号下列方法不能用于提高软磁材料起始磁导率的是()

答案:增大磁致伸缩系数,提高内应力磁滞回线的形状可以反映磁性材料的基本磁性能。磁致回线的宽度越窄,代表该材料的()

答案:越易被磁化将Si掺杂入GaAs中,若Si取代Ga则起()杂质作用

答案:施主硅晶体结构是金刚石结构,每个晶胞中含有原子个数为()

答案:8关于本征半导体,下列说法中错误的是()

答案:本征半导体的费米能级与温度无关,只决定于材料本身与绝缘体相比,半导体的价电子激发到导带所需的能量()

答案:比绝缘体小半导体材料最常见的两种晶体结构是()

答案:闪锌矿型###金刚石型厚膜电阻浆料中的粘结相主要起粘接导电相和坚固电阻体的作用,同时还有调整阻值、改善性能、提高膜层附着力等作用

答案:对由于化学沉积膜反应时产生大量氢气,使镀膜多孔,其防潮性较差

答案:对作为薄膜电阻材料要求材料具有以下哪些特性()

答案:工艺性能好###电阻率范围宽###电阻电压系数小###电阻温度系数小碳基薄膜电阻材料是用碳氢化合物,如甲烷、汽油、苯等为原料在高温下热分解得到

答案:对常用的贱金属电阻合金线有()

答案:康铜线###镍铬线###锰铜线金属薄膜试样的电导率与其厚度成正比

答案:对用金、银、钯之类的金属和有机物构成有机金属浆料,具有成本低、耐蚀性好的优点

答案:对下列导电性最好的金属材料是()

答案:银一般认为薄膜导电材料的厚度在()

答案:20nm至2μm点缺陷引起的残余电阻率变化远比线缺陷的影响小

答案:错超级电容器的忒点包括一下哪几个方面

答案:使用寿命长###瞬间放电功率大###温度性能好###容量大锂电池重放点过程有哪两个过程实现

答案:嵌入###脱嵌超级电容器按原理分类

答案:双电层电容原理###杂化电容器原理###赝电容原理双电层电容器由哪两层电荷组成

答案:表面电荷(正电荷或负电荷)由由于化学相互作用而吸附到物体上的离子组成。###库仑力吸引到表面电荷的离子组成。超级电容器是介于什么器件之间的新型储能装置

答案:电池###电容电流通过存在温度梯度的单一导体时,会产生可逆的Thomson热效应,不产生焦耳热。

答案:错热电材料的性能通常用热电优值ZT来表示,其中Z的量纲为()

答案:1/K热电材料利用()将电能直接转变成热能,用于热电制冷。

答案:Peltier效应卫星和空间站的温差发电系统通常处于900K温度以上,可选用Bi2Te3/Sb2Te3系材料。

答案:错热电材料利用()实现余热回收并转换成电能。

答案:Seebeck效应辐射复合是指电子和空穴复合时,放出的能量以()的形式辐射出去。

答案:光光电效应实验中,()光照射金属后,所获得的遏止电压最大。

答案:紫激光器发光需要外界的诱发促使载流子复合的受激发射。

答案:对LED的工作电流会随着供应电压的变化及环境温度的变化而产生较大波动,所以LED一般工作在()驱动状态。

答案:恒定直流太阳能的利用方式主要有()

答案:光化学利用###光热利用###光电利用由于外加电压的作用,致使电介质内部发生化学变化而引起的击穿称为电介质的电化学击穿

答案:对()产生的条件是体系必须是极性晶体,即具有特殊极化方向的晶体

答案:热释电效应压电效应产生的条件有()

答案:其结构必须有带正负电荷的质点。即压电体是离子晶体或由离子团组成的分子晶体###压电体是电介质###晶体结构没有对称中心介电常数的意义包括()

答案:选择绝缘体用于电容器和电缆中###研究介质损耗的理论依据###绝缘试验的理论依据###用于多层介质的合理配合N2和H2中主要存在偶极子转向极化

答案:错触变型流体随着切应力的增加,凝胶结构的分子间价键破裂,粘度增加

答案:错按膜厚分,小于1μm的为薄膜。

答案:对下列材料中,用于制作厚膜电阻材料的是()

答案:RuO2厚膜导体材料中的银导体,其最大特点是电导率高,最大缺点是易氧化。

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明,都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等,如果需要附件,请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸,网页内容里面会有图纸预览,若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间,仅对用户上传内容的表现方式做保护处理,对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑,并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容,请与我们联系,我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

评论

0/150

提交评论