半导体技术导论-知到答案、智慧树答案

半导体技术导论-知到答案、智慧树答案第一章单元测试1、问题：现代电子器件大多是基于半导体材料制备的？选项：A:对B:错答案:【对】第二章单元测试1、问题：p型硅掺杂IV族元素，n型硅掺杂III族元素。选项：A:对B:错答案:【错】2、问题：半导体中电流由电子电流和空穴电流构成。选项：A:对B:错答案:【对】3、问题：以能带隙种类区分，硅属于直接能带隙半导体。选项：A:对B:错答案:【对】4、问题：以下哪种结构不是固体常见的微观结构类型？选项：A:单晶体B:多晶体C:非晶体D:结晶体答案:【结晶体】5、问题：从能级角度上看，导体就是禁带宽度很小的半导体。选项：A:对B:错答案:【错】6、问题：半导体的电导率一般要大于绝缘体的电导率。选项：A:对B:错答案:【对】7、问题：在半导体中的空穴流动就是电子流动。选项：A:对B:错答案:【错】8、问题：通常来说，晶格常数较大的半导体禁带宽度也较大。选项：A:对B:错答案:【错】9、问题：温度为300K的半导体费米能级被电子占据的几率为（）？选项：A:0B:1/4C:1/2D:1答案:【1/2】10、问题：通常对于同种半导体材料，掺杂浓度越高，载子迁移率越低。选项：A:对B:错答案:【对】第三章单元测试1、问题：通常情况下，pn结p区和n区的半导体材料不相同。选项：A:对B:错答案:【错】2、问题：pn结加反偏压时，总电流为0。选项：A:对B:错答案:【错】3、问题：平衡状态下pn结的能带图中，p区和n区的费米能级是分开的。选项：A:对B:错答案:【错】4、问题：金属与n型半导体接触形成欧姆接触，此时金属的功函数应当大于半导体的功函数。选项：A:对B:错答案:【错】5、问题：欧姆接触也称为整流接触。选项：A:对B:错答案:【错】6、问题：通常，超晶格结构是基于异质结设计的。选项：A:对B:错答案:【对】7、问题：n型增强型MOSFET的基底是n型半导体。选项：A:对B:错答案:【错】8、问题：MOSFET的饱和漏极电流大小是由漏极电压决定的。选项：A:对B:错答案:【错】9、问题：MOSFET的栅极氧化层采用High-K材料的目的是增加栅极电容。选项：A:对B:错答案:【错】10、问题：BJT可用于恒定电流源的设计。选项：A:对B:错答案:【对】第四章单元测试1、问题：太阳能电池可以吸收太阳光的所有能量。选项：A:对B:错答案:【错】2、问题：VOC是指短路电压。选项：A:对B:错答案:【错】3、问题：太阳能电池上表面的电极会遮挡电池吸收的阳光。选项：A:对B:错答案:【对】4、问题：以下几种太阳能电池中，效率最高的是（）？选项：A:硅基太阳能电池B:GaAs太阳能电池C:钙钛矿太阳能电池D:有机物太阳能电池答案:【GaAs太阳能电池】5、问题：半导体光探测器本质是一个pn结，这类器件工作在pn结电流电压特性曲线的第（）象限？选项：A:IB:IIC:IIID:IV答案:【III】6、问题：对于同种半导体材料，通常PIN型光探测器的灵敏度要高于APD光探测器。选项：A:对B:错答案:【错】7、问题：光探测器设计的标准是：半导体材料的禁带宽度只要高于被探测光能量即可。选项：A:对B:错答案:【错】8、问题：以下哪种LED量产最晚？选项：A:红光LEDB:绿光LEDC:蓝光LEDD:白光LED答案:【蓝光LED】9、问题：LED的寿命通常比白炽灯长。选项：A:对B:错答案:【对】10、问题：半导体激光器中没有谐振腔结构。选项：A:对B:错答案:【错】第五章单元测试1、问题：摩尔定律是指集成电路的集成度每12个月提升一倍。选项：A:对B:错答案:【错】2、问题：早期的半导体公司大多成立于美国的硅谷。选项：A:对B:错答案:【对】3、问题：目前半导体产业分工越来越细，主要是由于技术越来越复杂，产品需求量越来越大。选项：A:对B:错答案:【对】4、问题：半导体代工厂中主要进行集成电路设计。选项：A:对B:错答案:【错】5、问题：半导体产业涉及的知识领域主要是物理学和材料学，与化学无关。选项：A:对B:错答案:【错】6、问题：目前量产的半导体器件节点尺寸是（）？选项：A:18nmB:10nmC:7nmD:5nm答案:【7nm】7、问题：以下半导体产线上最昂贵的设备是（）？选项：A:曝光显影机B:CVD镀膜机C:晶片清洗机D:封装机答案:【曝光显影机】8、问题：在CMOS工艺中，通常采用对光刻胶曝光显影来实现所设计结构的图案制备。选项：A:对B:错答案:【对】9、问题：逻辑电路的基本元件是MOS管。选项：A:对B:错答案:【对】10、问题：集成电路中只能制造二极管和三极管，而无法制造电阻。选项：A:对B:错答案:【错】第六章单元测试1、问题：利用氢氟酸蚀刻SiO2薄膜具有各向异性。选项：A:对B:错答案:【错】2、问题：利用正光刻胶曝光、显影、蚀刻的过程中，掩膜版上透光图案对应的基底部位将被蚀刻掉。选项：A:对B:错答案:【对】3、问题：通过扩散方式掺杂对杂质浓度和掺杂深度的控制精度比通过离子注入的方式掺杂要高。选项：A:对B:错答案:【错】4、问题：以下哪种材料无法通过分子束外延生长法制备？选项：A:SiB:GaAsC:IGZOD:GaN答案:【IGZO】5、问题：以下哪种不属于化学气相沉积法选项：A:PECVDB:DPCVDC:MOCVDD:LPCVD答案:【DPCVD】6、问题：化学气相沉积法的反应原料是气体，反应物是固体，副产物也可以是固体选项：A:对B:错答案:【错】7、问题：化学气相沉积法和物理气相沉积法最主要的区别在于前者需要在真空环境下进行。选项：A:对B:错答案:【错】8、问题：12英寸硅晶片是指硅晶片的（）是12英寸。选项：A:厚度B:半径C:直径D:器件大小答案:【直径】9、问题：利用液封直拉法得到的晶锭可以直接切割成晶片。选项：A:对B:错答案:【错】10、问题：以下晶体硅生长过程中的产物中哪种是单晶体？选项：A:石英砂B:冶金级硅晶体C:电子级硅晶体D:晶锭答案:【晶锭】第七章单元测试1、问题：通常TEM观测的分辨率要高于SEM。选项：A:对B:错答案:【对】2、问题：SEM观测的主要原理是搜集入射电子激发的二次电子进行逐点成像的。选项：A:对B:错答案:【对】3、问题：表面不导电的样品无法用SEM进行观测。选项：A:对B:错答案:【错】4、问题：TME可观测厚度1微米以上的样品。选项：A:对B:错答案:【错】5、问题：AFM的探针针尖与样品表面直接接触，所以测量时会损伤样品。选项：A:对B:错答案:【错】6、问题：AFM可观测样品内部形貌特征。选项：A:对B:错答案:【错】7、问题：以下哪种检测方式的激发源不是X射线？选项：A:XRDB:EDXC:SIMSD:XPS答案:【SIM