常用电子器件

关于常用电子器件1、电阻的单位：国际单位为欧姆（Ω）。常用单位有：MΩ,KΩ,mΩ,µΩ.

2、电阻按材料分可分成以下几类：

a、碳膜电阻

b、金属膜电阻主要是小功率1.1电阻1常用电子半导体器件第2页,共36页，2024年2月25日，星期天c、

绕线电阻d、

水泥电阻大功率第3页,共36页，2024年2月25日，星期天第4页,共36页，2024年2月25日，星期天

B.

标准功率：

W,W,W,W,1W,2W,5W,50W,100W.

C.

精度：（1%，5%）绕线电阻有0.1%精度1.0，1.2，1.5，1.8，2.0，2.2，2.4，2.7，3.0，3.3，3.6，3.9，4.3，4.7，5.0，5.1，5.6，6.2，6.8，7.5，8.2，9.10。A.标称阻值。如：1Ω，10KΩ.第5页,共36页，2024年2月25日，星期天1.2电容器1.电容器的符号

第6页,共36页，2024年2月25日，星期天2.电容单位3.电容器分类：

a、瓷片电容，有高压低压之分，高压瓷片可做成几万伏耐压。

b、CBB电容（金属化薄膜电容，高低压均有）第7页,共36页，2024年2月25日，星期天

c、独石电容

d、钽电容

低压e、铝电解电容第8页,共36页，2024年2月25日，星期天贴片元器件贴片钽电容贴片铝电解电容电容第9页,共36页，2024年2月25日，星期天穿心电容第10页,共36页，2024年2月25日，星期天4、电容元件的主要技术参数

a、标称容量,如:电解电容100µF/25V,

1.0，1.2，1.5，1.8，2.2，2.7，3.3，3.6，3.9，4.2，4.7，5.6，6.2，6.8，7.5，8.2。例：CBB电容2700pF/63V、272J(K)b、耐压：

6.3V,10V,16V,25V,35V,50V,63V,100V,160V,250V,400V,450V,630V,1000V,1250V,2KV,3KV,5KV,10KV。c、精度：

±5%(J级)±10%(K级)，±20%(M级)电解电容允许误差。

d、损耗角：tgδ

e、串联等效电阻：ESR高频电路或开关电源中这两个参数很重要第11页,共36页，2024年2月25日，星期天f、最大脉动电流：400V/10µF/280mAg、寿命：普通电容（CD11系列）寿命1000小时/85°下，工作温度每降低10°C，电解电容寿命增加一倍。每增加10°C，寿命减少一倍。h、漏电流：I=0.02CV+25µA、如：400V/10µF电容I=105µA

第12页,共36页，2024年2月25日，星期天第13页,共36页，2024年2月25日，星期天第14页,共36页，2024年2月25日，星期天1.3电感

1、符号空芯电感有铁芯电感第15页,共36页，2024年2月25日，星期天2、分类：

a、色码电感：（空芯电感，容量小，只有µH级）

b、高频（铁氧体芯）电感：可做µH、mH级，非线性元件，电感量随工作频率而改变。

c、低频（矽钢片）电感：可做mH级。第16页,共36页，2024年2月25日，星期天

3、单位（亨利）

4、参数

a、标称容量：（mH）

b、额定电流：（载流能力）0.5A，1A。

c、额定电压：高压应用场合，要考虑耐压问题。

d、损耗：铁损：磁损耗，随频率的增加而大幅度增加

铜损：漆包线电阻损耗第17页,共36页，2024年2月25日，星期天第18页,共36页，2024年2月25日，星期天第19页,共36页，2024年2月25日，星期天第20页,共36页，2024年2月25日，星期天

1.4、三极管1、符号

2、分类

按材料分：

a、硅管（PN结压降：0.7V）

b、锗管（PN结压降：0.3V）第21页,共36页，2024年2月25日，星期天

3、主要技术指标：

a、电流放大系数：β

注意β标志：F标志β：50-70 G标志β：70-90 H标志β：100-120 I标志β：120-150

*管子耐压越高，额定工作电流（ICM）越大，则β越小。

例:MJE13005，500V/5A，β:15-35之间

S8050，45V/1A，β:70-200之间

第22页,共36页，2024年2月25日，星期天

b、反向击穿电压：

Ucbo(发射极开路)Uebo（集电极开路）

Uceo（基极开路）

c、集电极最大允许电流ICMd、集电极最大允许耗散功率PCMPc=Ic×Uce

耗散功率与环境温度和散热条件有关（RoJ），手册上一般给出环境温度为20℃时PCM值。

e、截止频率：

共射极截止频率fb,定义为β降低到0.707倍时的频率称为fb

三个参数中选最小一个为晶体管击穿电压，一般为Uebo

第23页,共36页，2024年2月25日，星期天4、封装形式：第24页,共36页，2024年2月25日，星期天第25页,共36页，2024年2月25日，星期天第26页,共36页，2024年2月25日，星期天第27页,共36页，2024年2月25日，星期天第28页,共36页，2024年2月25日，星期天1.功率MOSFET的结构1.5功率场效应晶体管结构特点图1-19电力MOSFET的结构和电气图形符号第29页,共36页，2024年2月25日，星期天

2、MOS管特点

a、电压控制元件，输入阻抗高。

b、导通电阻Ron大.c、工作频率高（对功率器件而言）

d、是一种元细胞集成器件,适合并联

e、DS极之间内部寄生二极管

3、主要技术指标：

a、额定电压Uds,它主要由VMOS管的漏源击穿电压U(BR)DS决定

b、最大漏极电流Idmax(标称MOS管电流额定参数)c、阀值电压Ugs(th)(又称门极开启电压)d、导通电阻：Ron第30页,共36页，2024年2月25日，星期天

e、最高工作频率fm:

Uds作用下，电子从源区（S）通过沟道到漏区所需要的时间

f、开通时间和关断时间：

开通和关断时间越大,则MOS管开关损耗越大. g、极间电容输入电容：Ciss=CGS+CGD输出电容：Coss=CDS+CGD第31页,共36页，2024年2月25日，星期天

5、常用MOS器件：

2N700060V/0.2A IRFD01460V/1.7AIRFD210 200V/0.6A IRFD110 100V/1.0A IRF530100V/15A IRF630 200V/9A IRF730400V/5.5A IRF830 500V/4.5AIRF840500V/8A IRFBF20 900V/1.7