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半导体的真实半导体的能带结构

半导体的真实半导体的能带结构1.金刚石（硅、锗）、闪锌矿结构半导体（Ⅲ-Ⅴ，Ⅱ-Ⅵ，Ⅰ-Ⅶ化合物）①高价带:产生于满p壳层阴离子（或与d壳层混合），●带顶k=0.(四重简并)(两重简并)杂化轨道形成的成键态。●最高两个带称为重穴hh带和lh带.在k=0

处Γ点两带简并,在

简并消除,散射关系为其中“+”和“-”号分别对应重穴hh带和lh带.

等能面不是球面(除非C=0}.但通常仍可近似为球面.对应原子

态.

描述有效质量.空穴的色散和有效质量都与波矢方向有关.●第3个能带散射关系为等能面为球形.对应原子

态.②最低导带：空s壳层阳离子，或其中

Δ为自旋轨道耦合分裂值,随着原子序数增加而增加。●CuCl中价带因近邻d轨道影响而反置。化轨道形成的反成键态。杂△某些直隙材料

导带底与

价带顶间跃迁是禁戒的,因为这两带具有

相同的宇称.这个特性对光学性质有显著影响.●等能面●间接(隙)与直接(隙)半导体△间接：Si,Ge,AlAs,GaP,AgBr,AlP等.直接：InAs,GaAs,GaSb,InP等.Ge导带最小值在Λ向

L点；

Si导带最小值在Δ方向X点附近.

Γ点处各向同性,且为抛物线.导带最小值附近的能带.△间接(隙)半导体能谷

其中

为

方向的纵向有效质量，

为两个垂直

方向的横向有效质量.间接半导体：多谷；直接半导体：单谷。L点：X点附近直隙半导体

GaAs

极小值

点与附近极小值点能量相近,在强电场作用下,电子易从低

的

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