高温环境及大电流密度应力下GaN基欧姆接触退化机理的研究的开题报告_第1页
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高温环境及大电流密度应力下GaN基欧姆接触退化机理的研究的开题报告一、研究背景和意义近年来，宽禁带半导体材料GaN在射频功率放大、高功率开关、紫外光发射等方面的应用广泛受到关注。欧姆接触在GaN器件中占有重要的地位，能够影响器件的性能和可靠性。然而，在高温环境及大电流密度应力下，GaN基欧姆接触容易发生退化，导致电阻增加和器件性能恶化。因此，研究GaN基欧姆接触退化机理对提高GaN器件的可靠性和稳定性具有重要意义。二、研究内容和方法本研究将研究高温环境及大电流密度应力下GaN基欧姆接触退化机理，主要包括以下几个方面：1.研究欧姆接触的基本原理和退化机理，探究在高温和大电流密度应力下，GaN基欧姆接触的退化机理。2.设计实验方案，使用自行开发的高温和大电流应力测试平台，对GaN基欧姆接触进行实验测试。3.称重、显微镜观察、电学测试等手段对实验样品进行分析，得出欧姆接触退化机理的定性和定量分析。三、论文结构本研究的论文将根据以下结构进行撰写：1.绪论（1）研究背景和意义（2）研究现状和不足（3）研究目标和意义（4）论文结构和安排2.理论分析（1）GaN器件和欧姆接触的基本原理（2）GaN基欧姆接触退化机理3.实验设计和研究方法（1）实验平台和测试方案（2）实验样品制备和测试方法（3）数据处理和分析方法4.实验结果和数据分析（1）测试结果及其分析（2）欧姆接触退化机理分析5.总结和展望（1）研究总结（2）研究不足和改进方向（3）未来展望四、研究进度安排1.阶段一（2019年10月-2020年2月）：理论分析和实验方案设计2.阶段二（2020年3月-2020年8月）：样品制备和测试实验3.阶段三（2020年9月-2020年12月）：数据分析和结果总结4.阶段四（2021年1月-2021年5月）：论文撰写和答辩准备五、预期成果本研究预期能够得到以下几个方面的成果：1.掌握GaN器件和欧姆接触的基本原理，研究欧姆接触在高温和大电流密度应力下的退化机理。2.设计出一套高温和大电流应力测试平台，用于GaN基欧姆接触的实验测试。3.实验测试样品，通过称重、显微镜观察、电学测试等方法，对

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