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文档简介
实验四集成门电路参数测试第一页,共十四页,编辑于2023年,星期二二、实验原理要点
1、TTL与非门主要参数
(1)空载导通电流Iccl;空载截止电流Icch。Iccl和Icch的大小标志着与非门电路在静态情况下功耗的大小,Iccl和Icch二者越小越好。(2)低电平输入电流IIL。IIL是指当一个输入端接地,而其他输入端悬空时,流向接地端的电流,又称为输入短路电流。IIL关系到前一级门电路能带动负载的个数。IIL过大或过小都不好。(3)高电平输入电流IIH。IIH是指当一个输入端接高电平,而其他输入端接地时,流过接高电平输入端的电流,又称为交叉漏电流。IIH主要作为前级门输出为高电平时的拉电流,不宜太大。第二页,共十四页,编辑于2023年,星期二(4)输出高电平VOH;输出低电平VOL。VOH是指与非门一个以上的输入端接低电平或接地时,输出的电压大小。VOL是指与非门的所有输入端均接高电平时,输出电压的大小。(5)开门电平VON:使与非门输出处于低电平状态时所允许的最小输入电压;关门电平VOFF:使与非门输出处于高电平状态所允许的最大输入电压。(6)扇出系数N0:驱动同类门的个数第三页,共十四页,编辑于2023年,星期二(7)平均延迟时间Tpd=1/2(Tpdl+Tpdh)第四页,共十四页,编辑于2023年,星期二(8)电压传输特性Uo=f(Ui)电压传输特性是指输出电压UO和输入电压Ui的函数关系。第五页,共十四页,编辑于2023年,星期二(9)噪声容限电压:高电平噪声容限电压VNH=VOH(VOHMIN)-VON,表示输入为高电平时,所允许的噪声电压最大值。低电平噪声容限电压VNL=VOFF-VOL(VOLMAX),表示输入为低电平时,所允许的噪声电压最小值。第六页,共十四页,编辑于2023年,星期二2、CMOS门电路主要参数含义
:输出高电平电压值,;
:输出高电平允许的最小电压值,;
:输出低电平电压值,;
:输出低电平允许的最大电压值,;
():使输出低电平为的最小输入高电平值,当时,其规范值为3.5V;
():使输出高电平为的最大输入低电平值,当时,其规范值为3.5V;
第七页,共十四页,编辑于2023年,星期二:高电平噪声容限,=-;
:低电平噪声容限,=-
。第八页,共十四页,编辑于2023年,星期二3、多余输入端处理方法及使用注意事项
1)TTL:悬空≈高电平,也可以通过接上拉电阻接电源Vcc,或者和其他输入端并联使用。2)CMOS:不允许悬空,根据情况接Vcc或者接地。3)电源:每个芯片都有电源和地,所以在使用时,每个芯片都必须接电源和地。4)输出端不能接地、接电源,两个输出端也不能相互连接。
第九页,共十四页,编辑于2023年,星期二三、实验任务
(一)TTL与非门74LS20直流参数测试。1、测电压传输特性(逐点法)(课后用坐标纸描点作图)Vi/V00.30.50.70.80.850.90.951.01.051.11.31.52.02.4Vo/V第十页,共十四页,编辑于2023年,星期二(二)CMOS电路参数测试1、CMOS六反相器CD4069tpd的值。如图,用5个非门串联构成闭路,用示波器测量波形的扫描周期T,测出T后→计算tpd=T/10=
第十一页,共十四页,编辑于2023年,星期二2、CMOS二输入四或非门CD4001电压传输特性Uo=f(Ui)测量(图示法)。测量方法见实验指导书P5,用XY方式观察,X通道设置为0.5V/div,Y通道设置为1V/div,注意耦合方式开关置于“DC”方式,必须先确定“0”点的位置,再用坐标纸描绘波形。第十二页,共十四页,编
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