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文档简介

输入最小电压(VDC)Vin(min),10

额定输入电压(VDC)Vin,12

输入最大电压(VDC)Vin(max),16

输入电流（A)Iin,2.4

输出电压(VDC)Vout,12

输出电流(A)Iout,2

输出整流二极管正向压降(VDC)VD,0.85

低压占空比Dmax,0.562363239

高压占空比Dmax,0.445407279

电感纹波电流（A）△IL,0.96

开关频率（KHz）Fsw,100

L1=L2感量（uH）L（独立磁芯）,58.57950401

L1电感峰值电流IL1(PEAK),2.88

L2电感峰值电流IL2(PEAK),2.4

L1=L2感量（uH）L（公用磁芯）,29.28975201

MOSFETIDS(PEAK)(A),4.26770428

MOSFETIDS（RMS）(A),3.200389081

MOSFET消耗功率PD(W),7.475336965

二极管最小反向峰值电压VRD,28

MOSFET型号,8N60

MOSFET开通内阻RDS(ON)（Ω）,1.2

MOSFETGD充电QGD,0.000012

MOSFET驱动电流IGATE(A),0.2

耦合电容的平均电流ICS(A),2.19089023

耦合电容的纹波电压△VCS(A),0.001124726

耦合电容Cs容量(uF),10

输出电容的平均电流ICS(A),2.19089023

输出电容的纹波电压Vripple（Vp-p）,0.06

输出电容ESR（Ω）≤,0.005681818

输出电容容量Cout(uF)≥,374.9088257

输入电容的平均电流Icin(RMS)（A),0.277128129

作者：江彬职务:电源工程师

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