项目一元器件识别与检测分解教学文稿

1、项目一元器件识别与检测分解项目一元器件识别与检测分解模拟电子技术基础模拟电子技术基础与其他课程的联系：与其他课程的联系： 本课程的先修课程是普通物理、电路分析基础等。本课程的先修课程是普通物理、电路分析基础等。原子物理部分中的核外电子运动的规律、原子的能级、原子物理部分中的核外电子运动的规律、原子的能级、壳层结构、能带理论由普通物理讲授，本课程在此基础上进壳层结构、能带理论由普通物理讲授，本课程在此基础上进一步研究半导体器件的原理和性能。一步研究半导体器件的原理和性能。电压源、电流源、受控源等概念，基尔霍夫定律、叠加电压源、电流源、受控源等概念，基尔霍夫定律、叠加定理，戴维南定理和诺顿定理，以

2、及定理，戴维南定理和诺顿定理，以及RC电路时间常数等概念电路时间常数等概念由电路分析基础（电工学）讲授，本课程应用上述内容分析由电路分析基础（电工学）讲授，本课程应用上述内容分析讨论具体的电子电路等内容。讨论具体的电子电路等内容。同步课程：数字电子技术（数字电路与逻辑设计）同步课程：数字电子技术（数字电路与逻辑设计）后续课程：微机原理、高频电路等。后续课程：微机原理、高频电路等。课程教学目标：课程教学目标： 1、掌握模拟电路中的基本概念，电子元器件的功能和使用。、掌握模拟电路中的基本概念，电子元器件的功能和使用。2、掌握组成模拟电路的各种单元电路（放大、振荡等）的工作、掌握组成模拟电路的各种单

3、元电路（放大、振荡等）的工作原理、性能和特点。原理、性能和特点。3、掌握模拟电路的基本原理、基本分析方法和计算方法，例如、掌握模拟电路的基本原理、基本分析方法和计算方法，例如放大电路、反馈电路等基本分析方法，使学生具有一定的电放大电路、反馈电路等基本分析方法，使学生具有一定的电路分析、计算的能力。路分析、计算的能力。4、在实验技能方面，能比较熟练地掌握模拟电子电路常用测试、在实验技能方面，能比较熟练地掌握模拟电子电路常用测试仪器的使用方法与基本测试技术，对电子线路的基本单元电仪器的使用方法与基本测试技术，对电子线路的基本单元电路具有初步设计、安装和调试的能力。路具有初步设计、安装和调试的能力。

4、5、适当引入近些年来电子技术的新器件、新技术、新方法，以、适当引入近些年来电子技术的新器件、新技术、新方法，以利于学生了解电子技术的新发展，扩展知识面，开阔视野。利于学生了解电子技术的新发展，扩展知识面，开阔视野。教学内容与要求（教学内容与要求（64学时学时+实验实验30学时）学时）学分：学分：4+2 第一章第一章 常用半导体器件常用半导体器件 （6学时学时+习题课习题课2学时）学时）第二章第二章 基本放大电路基本放大电路 （10学时学时+习题课习题课2学时）学时）第三章第三章 多级放大电路多级放大电路 （4学时）学时）第四章第四章 集成运算放大电路集成运算放大电路 （2学时）学时）第五章第五

5、章 放大电路的频率响应放大电路的频率响应 （4学时）学时）第六章第六章 放大电路中的反馈放大电路中的反馈 （8学时）学时）第七章第七章 信号的运算和处理信号的运算和处理 （8学时）学时）第八章第八章 波形的发生和信号的转换波形的发生和信号的转换 （8学时）学时）第九章第九章 功率放大电路功率放大电路 （4学时）学时）第十章第十章 直流电源直流电源 （4学时）学时）第十一章第十一章 模拟电子电路读图模拟电子电路读图 （2学时）学时） （了解）（了解）参考书目参考书目n模拟电子技术基础模拟电子技术基础（第三版）清华大学电子学教研组编，（第三版）清华大学电子学教研组编，童诗白、华成英主编，高等教育出

6、版社，童诗白、华成英主编，高等教育出版社，2001n模拟电子技术基础模拟电子技术基础典型例题及习题解答典型例题及习题解答 王正奎编著王正奎编著 聊大聊大n模拟电子技术简明教程模拟电子技术简明教程华成英主编，清华大学出版社华成英主编，清华大学出版社2006n模拟电子技术简明教程模拟电子技术简明教程（第二版）清华大学电子学教研组（第二版）清华大学电子学教研组编，杨素行主编，高等教育出版社编，杨素行主编，高等教育出版社，1998n模拟电子技术基础模拟电子技术基础，华中理工大学电子学教研室编，陈大，华中理工大学电子学教研室编，陈大钦主编，高等教育出版社，钦主编，高等教育出版社，2000n电子技术基础电

7、子技术基础（模拟部分）第四版，华中理工大学电子学（模拟部分）第四版，华中理工大学电子学教研室编，康华光主编：高等教育出版社，教研室编，康华光主编：高等教育出版社，1999n模拟电子技术常见题型解析及模拟题模拟电子技术常见题型解析及模拟题张畴先张畴先 主编，西北工主编，西北工业大学出版社业大学出版社 项目一项目一 元器件的识别与检测元器件的识别与检测 1.1 半导体的基础知识半导体的基础知识 1.2 半导体二极管半导体二极管 1.3 双极型晶体管双极型晶体管 1.4 场效应管场效应管重点掌握：基本概念，晶体二极管的伏安特性重点掌握：基本概念，晶体二极管的伏安特性及主要参数、晶体三极管和场效应管输

8、入、输及主要参数、晶体三极管和场效应管输入、输出特性及主要参数。出特性及主要参数。不要将注意力过多放在管子内部，而以理解外不要将注意力过多放在管子内部，而以理解外特性为主。特性为主。1.1 半导体的基本知识半导体的基本知识导体、半导体和绝缘体导体、半导体和绝缘体导体：导体：容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。绝缘体：绝缘体：几乎不导电的物质称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料几乎不导电的物质称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英等。和石英等。半导体：半导体：导电特性介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体导电特性介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体, , 如

9、锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。 半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。例如：其它物质的特点。例如： 当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。 往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能力明显往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能力明显改变。例如：室温下，在纯硅中参入百万分之一的硼，可以使改变。例如：室温下，在纯硅中参入百万分之一的硼，可以使硅的导电能力提高硅的导电能力提高5050万倍。万倍。1.1.1 本征半导体本

10、征半导体一、本征半导体的结构特点一、本征半导体的结构特点GeSi通过一定的工艺过程，可以将半导体制成通过一定的工艺过程，可以将半导体制成晶体晶体。现代电子学中，用的最多的半导体是硅现代电子学中，用的最多的半导体是硅(14)和锗和锗(32)，它们的最外层电子（价电子）都是四个。它们的最外层电子（价电子）都是四个。本征半导体：本征半导体：纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原子都处在正四面体的中心，而四个其它原子位于四面体的顶点，子都处在正四面体的中心，

11、而四个其它原子位于四面体的顶点，每个原子与其相临的原子之间形成每个原子与其相临的原子之间形成共价键共价键，共用一对价电子。，共用一对价电子。硅和锗的晶体结构：硅和锗的晶体结构：硅和锗的共价键结构硅和锗的共价键结构共价键共价键共用电子对共用电子对+4+4+4+4+4+4表示除去表示除去价电子后的价电子后的正离子正离子形成共价键后，每个原子的形成共价键后，每个原子的最外层电子是八个，构成稳最外层电子是八个，构成稳定结构。定结构。共价键有很强的结合力，使共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形成晶体。原子规则排列，形成晶体。共价键中的两个电子被紧紧共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚在共

12、价键中，称为束缚束缚电子电子，常温下束缚电子很难，常温下束缚电子很难脱离共价键成为脱离共价键成为自由电子自由电子，因此本征半导体中的自由电因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。导电能力很弱。二、本征半导体的导电机理二、本征半导体的导电机理在绝对在绝对0度度（T=0K）和没和没有外界激发时有外界激发时, ,价电子完全被价电子完全被共价键束缚着，本征半导体中共价键束缚着，本征半导体中没有可以运动的带电粒子（即没有可以运动的带电粒子（即载流子载流子），它的导电能力为），它的导电能力为 0，相当于绝缘体。相当于绝缘体。在常温下，由于热激发在常温下，由于热

13、激发, ,使一些价电子获得足够的能量使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为而脱离共价键的束缚，成为自自由电子由电子，同时共价键上留下一，同时共价键上留下一个空位，称为个空位，称为空穴空穴。1.1.载流子、自由电子和空穴载流子、自由电子和空穴+4+4+4+4自由自由电子电子空穴空穴束缚电子束缚电子本征半导体中本征半导体中自由电子自由电子和和空穴空穴总是成对出现的，而且数量相总是成对出现的，而且数量相等，称为等，称为电子空穴对。电子空穴对。2.本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理+4+4+4+4在电场力的作用下，自由电在电场力的作用下，自由电子作定向移动，空穴也会吸子作定向移动，空

14、穴也会吸引附近的价电子来依次填补引附近的价电子来依次填补,结果相当于空穴也作定向移结果相当于空穴也作定向移动，而空穴的移动相当于正动，而空穴的移动相当于正电荷的移动，因此也可以认电荷的移动，因此也可以认为空穴是为空穴是载流子载流子。自由电子在运动过程中如果与自由电子在运动过程中如果与空穴相遇就会填补空穴而消失空穴相遇就会填补空穴而消失,称为称为复合复合；在一定的温度下，；在一定的温度下，热激发产生的自由电子与空穴热激发产生的自由电子与空穴对，与复合的自由电子与空穴对，与复合的自由电子与空穴对数目相等，故达到对数目相等，故达到动态平衡动态平衡.本征半导体的导电能力取决于本征半导体的导电能力取决于

15、载流子的浓度，在一定温度下载流子的浓度，在一定温度下,载流子的浓度是一定的，载流子的浓度是一定的，温度温度越高，载流子的浓度越高，越高，载流子的浓度越高，本本征半导体的导电能力越强征半导体的导电能力越强。本征半导体中电流由两部分本征半导体中电流由两部分组成：组成： 自由电子移动产生的自由电子移动产生的电流，电流， 空穴移动产生的电流空穴移动产生的电流自由电子自由电子和和空穴空穴都参与导电都参与导电1.1.2 杂质半导体杂质半导体在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体

16、的某种载流子浓度大大增加了。杂半导体的某种载流子浓度大大增加了。P 型半导体：型半导体：在本征半导体中掺入三价元素在本征半导体中掺入三价元素(如硼如硼)构成的杂质半导体。构成的杂质半导体。N 型半导体：型半导体：在本征半导体中掺入五价元素在本征半导体中掺入五价元素( (如磷如磷) )构成的杂质半导体。构成的杂质半导体。一、一、N 型半导体型半导体多余电子因不受共价键的束缚成为多余电子因不受共价键的束缚成为自由电子自由电子，同时磷原子就成为同时磷原子就成为不能移动的带正电的离子，称为不能移动的带正电的离子，称为施主原子。施主原子。另外另外N 型半导体中还有少量的空穴，其浓度远小于自由电子的浓型半

17、导体中还有少量的空穴，其浓度远小于自由电子的浓度，所以把自由电子称为度，所以把自由电子称为多数载流子多数载流子，空穴称为空穴称为少数载流子，少数载流子，简简称称多子多子和和少子少子。在本征半导体中掺入在本征半导体中掺入五价元素五价元素多余电子多余电子磷原子磷原子+N型硅表示型硅表示二、二、P 型半导体型半导体P 型半导体中空穴是型半导体中空穴是多数载流子多数载流子，电子是电子是少少数载流子数载流子。当附近硅原子的外层电子由于热运动填补空穴时，硼原子成当附近硅原子的外层电子由于热运动填补空穴时，硼原子成为不可移动的负离子。硼原子称为为不可移动的负离子。硼原子称为受主原子受主原子。在本征半导体中掺

18、入在本征半导体中掺入三价元素三价元素空穴空穴硼原子硼原子P型硅表示型硅表示三、杂质半导体的示意表示法三、杂质半导体的示意表示法P 型半导体型半导体+N 型半导体型半导体杂质杂质型半导体多子和少子的移动都能形成电流。型半导体多子和少子的移动都能形成电流。但由于数量的关系，起导电作用的主要是多子但由于数量的关系，起导电作用的主要是多子。近似认为多子近似认为多子浓度浓度与所掺杂质浓度相等与所掺杂质浓度相等。一一. PN 结的形成结的形成在同一片半导体基片上在同一片半导体基片上采用不同的掺杂工艺分采用不同的掺杂工艺分别制造别制造P 型半导体和型半导体和N 型半导体，由于浓度的型半导体，由于浓度的不同，

19、经过载流子的不同，经过载流子的扩扩散散，在它们的交界面处，在它们的交界面处就形成了就形成了PN 结。结。PN 结具有单向导电性结具有单向导电性1.1.3 PN 结结由于浓度差而产生的运动称为由于浓度差而产生的运动称为扩散运动扩散运动。在电场力的作用下，载流子的运动称为在电场力的作用下，载流子的运动称为漂移运动漂移运动。随着扩散运动的进行，空间电荷区加宽，内电场增强，随着扩散运动的进行，空间电荷区加宽，内电场增强，阻止扩散运动的进行，但有利于少子的漂移，当扩散的多子阻止扩散运动的进行，但有利于少子的漂移，当扩散的多子和漂移的少子数目相等时，达到动态平衡，形成和漂移的少子数目相等时，达到动态平衡，

20、形成PN 结。结。空间电荷区，也称耗尽层。空间电荷区中没有载流子。空间电荷区，也称耗尽层。空间电荷区中没有载流子。P 区中的电子和区中的电子和 N 区中的空穴（都是少子），数量有限，因区中的空穴（都是少子），数量有限，因此由它们形成的电流很小。此由它们形成的电流很小。1 1、PN 结正向偏置结正向偏置P P 正正N N 负负, ,导通导通内电场内电场外电场外电场变薄变薄+REPN+_内电场被削弱，多子内电场被削弱，多子的扩散加强，能够形的扩散加强，能够形成较大的扩散电流。成较大的扩散电流。二二. PN结的单向导电性结的单向导电性2 2、PN 结反向偏置结反向偏置P负负N 正，截止正，截止内电场

21、内电场外电场外电场变厚变厚内电场被加强，多子的内电场被加强，多子的扩散受抑制。少子漂移扩散受抑制。少子漂移加强，但少子数量有限，加强，但少子数量有限，只能形成较小的反向电只能形成较小的反向电流。流。+NP+_RE反向反向 饱和电流饱和电流三、三、PN 结的电流方程结的电流方程)1(kTquSeIi)1(TUuSeIi由理论分析知由理论分析知，PN 结外加电压结外加电压 u 与流过的电流与流过的电流 i 的关系为：的关系为：其中其中, IS 为反向饱和电流，为反向饱和电流，q为电子电量，为电子电量，k为为玻尔兹曼常数，玻尔兹曼常数，T为热力学温度。将为热力学温度。将 kT/q 用用 UT代代替，

22、得：替，得：常温下（常温下（T=300K），）， UT26mV四、四、PN 结的伏安特性结的伏安特性UI正向特性正向特性（u0）反向特性反向特性（u0）反向击穿部分反向击穿部分PN 结处于反向偏置时，反向电压超过某一数值时，反向结处于反向偏置时，反向电压超过某一数值时，反向电流急剧增加，这种现象称电流急剧增加，这种现象称反向击穿。反向击穿。)1(TUuSeIi五、五、PN 结的电容效应（了解）结的电容效应（了解）在一定条件下，在一定条件下，PN 结具有电容效应：势垒电容，扩散电容结具有电容效应：势垒电容，扩散电容1.2 半导体二极管半导体二极管PN 结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。结加上

23、管壳和引线，就成为半导体二极管。点接触型点接触型：高频、小功率整流高频、小功率整流面接触型面接触型：整流：整流符号符号平面型平面型：大功率整流、开关大功率整流、开关1.2.1 二极管的几种常见结构二极管的几种常见结构1.2.2 二极管的二极管的伏安特性伏安特性开启电压开启电压Uon:硅管硅管0.5V，锗管锗管0.1V导通电压导通电压: 硅管硅管0.60.8V,锗管锗管0.10.3V反向击穿反向击穿电压电压UBR)1(TUuSeIiUI死区电压死区电压温度对二极管伏安特性的影响温度对二极管伏安特性的影响在室温附近，温度每升高1，正向压降减小22.5mV，温度每升高10，反向电流大约增大一倍。可见

24、，二极管的特性对温度很敏感。温度升高，正向曲线左移，反向曲线下移。温度升高，正向曲线左移，反向曲线下移。1.2.3 二极管的二极管的主要参数主要参数 P151. 最大整流电流最大整流电流 IF二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。2. 最高反向工作电压最高反向工作电压UR二极管工作时允许外加的最大反向电压。通常二极管工作时允许外加的最大反向电压。通常UR是击穿是击穿电压电压UBR的一半。的一半。3. 反向电流反向电流IR4. 最高工作频率最高工作频率 fM指二极管加反向电压且未击穿时的反向电流。指二极管加反向电压且未击穿时的反向

25、电流。二极管工作的上限频率。二极管工作的上限频率。二极管的应用：二极管的应用：主要利用它的单向导电性，应用于整流、限幅、保护等等。主要利用它的单向导电性，应用于整流、限幅、保护等等。 1. 理想模型理想模型3. 折线模型折线模型 2. 恒压降模型恒压降模型1.2.4 二极管的二极管的等效电路（等效模型）等效电路（等效模型）一一. 由伏安特性折线化得到的等效电路由伏安特性折线化得到的等效电路若RVI ，则，则DUV 若若RUVION则则ONDUURrUVIDON精确计算精确计算DIOUVU例：例： P17 UD=0.7VS断开时：断开时：D导通导通VVV3 . 57 . 06VVUO122S闭合

26、时：闭合时：D截止截止理想二极管：理想二极管：开启电压开启电压=0 V，导通压降，导通压降=0 V。二极管：二极管：开启电压开启电压=0 .5V，导通压降，导通压降 0.7V(硅二极管硅二极管)RLuiuouiuott1：二极管半波整流：二极管半波整流二极管应用二极管应用电路举例：2、 二极管与门电路二极管与门电路0V3VYABVCC=+5VD13k3kRD2&ABY=ABVAVBVY0V0V0V3V3V0V3V3V电压功能表电压功能表0.7V0.7V0.7V3.7V硅管硅管 UD=0.7V3 3、 二极管或门电路二极管或门电路0V3VABYDD12R3k3kABY=A+B11电压功能

27、表电压功能表VAVBVY0V0V0V3V3V0V3V3V0V2.3V2.3V2.3V硅管硅管 UD=0.7V二二. 二极管的微变等效电路二极管的微变等效电路当二极管外加正向电压时，当二极管外加正向电压时，将有一直流电流，用将有一直流电流，用 二极管特性二极管特性曲线上的点曲线上的点Q表示。表示。DDdiur rd 称为微变电阻称为微变电阻二极管的动态电阻可用右图表示：二极管的动态电阻可用右图表示：DTIU若在若在Q点基础上外加微小的变化量点基础上外加微小的变化量,则可用以则可用以Q点为切点的直线来近似点为切点的直线来近似.即将二极管等效为一个动态电阻即将二极管等效为一个动态电阻rd 。电路波形

28、分析电路波形分析直流电压源和交流电压源直流电压源和交流电压源同时作用的二极管电路同时作用的二极管电路同学们可参看典型例题习题解答同学们可参看典型例题习题解答 上册第一章例题。上册第一章例题。V+ui-uD1.2.5 稳压二极管稳压二极管UIIZIZmax UZ IZ曲曲线线越越陡陡,电电压压越越稳稳定定.UZ稳压二极管工作在二极管特性曲线的反向击穿部分稳压二极管工作在二极管特性曲线的反向击穿部分动态电阻：动态电阻：ZZIUZrrz 越小，稳压性能越小，稳压性能越好。越好。+-符号：符号：（IZmin）外接负载电阻外接负载电阻稳定电压稳定电压稳定电流稳定电流（2）稳定电流稳定电流IZ、（3）额定

29、功耗）额定功耗maxZZZMIUP稳压二极管的主要参数稳压二极管的主要参数:P18-19（1）稳定电压稳定电压 UZ（5）温度系数温度系数 稳压值受温度变化影响的系数。稳压值受温度变化影响的系数。（4）动态电阻）动态电阻ZZIUZr稳压二极管的应用举例：稳压二极管的应用举例：P20UoIZDZRILIRUIRL5mA2 5mA, V,6maxminZZZIIU如图所示电路，稳压管的如图所示电路，稳压管的输入电压输入电压UI=10V，负载电阻，负载电阻RL=600，求限流电阻求限流电阻R的取值的取值范围范围。解：解：LZZZILZZIRRRUIUUIIUUIU R II IZLR01.04600

30、/6610ZZIIZIR-UUU ZOUU 得得代代入入上上式式将将，mAImAIZZ25,5maxmin22701. 0005. 0401. 04minmaxRIR11401. 0025. 0401. 04maxminRIR限流电阻限流电阻R的取值范围为的取值范围为114 227 01.04ZIR一、一、 发光二极管发光二极管发光二极管有足够大的正向电流流过时，发光二极管有足够大的正向电流流过时，能发出一定波长范围的光。能发出一定波长范围的光。外形外形符号符号1.2.6 其它类型的二极管其它类型的二极管 P20 -22二、二、 光电二极管光电二极管光电二极管是一种把光能转换成电能的器件，光电

31、二极管是一种把光能转换成电能的器件，它的反向电流随光照强度的增加而上升。它的反向电流随光照强度的增加而上升。IU照度增加照度增加结构特点：结构特点：1 发射区的掺杂浓度最高发射区的掺杂浓度最高2 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大3 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低1.3 双极型晶体管双极型晶体管(半导体三极管半导体三极管)1.3.1 基本结构和类型基本结构和类型晶体管的几种常见外形晶体管的几种常见外形由两个由两个PN 结背靠背组成结背靠背组成发射极发射极集电极集电极基极基极发射区发射区基

32、区基区集电区集电区becNNP基极基极发射极发射极集电极集电极NPN型型PNP集电极集电极基极基极发射极发射极bcePNP型型发射区发射区基区基区集电区集电区发射结发射结集电结集电结1.3.2 晶体管的电流放大作用晶体管的电流放大作用becNNPVBBRbIE基区空穴向发射基区空穴向发射区的扩散可忽略区的扩散可忽略IEP进入进入P P 区的电子少区的电子少部分与基区的空穴部分与基区的空穴复合，形成电流复合，形成电流I IB B 多数扩散到集电结多数扩散到集电结发射结正偏发射结正偏, ,发射发射区电子不断向基区电子不断向基区扩散，形成发区扩散，形成发射极电流射极电流I IE E。一、晶体管内部载

33、流子的运动一、晶体管内部载流子的运动VCCRCICN从基区扩从基区扩散来的电散来的电子作为少子作为少子，漂移子，漂移进入集电进入集电区被收集，区被收集，形成形成IC。集电结反偏，有少子集电结反偏，有少子形成的反向电流形成的反向电流 ICBOICBOIENIBNIC=ICN+ICBOIB=IBN+IEP-ICBOIBIE=IEN+IEPbecNNPVBBRbIEIB进入进入P P 区的电子少区的电子少部分与基区的空穴部分与基区的空穴复合，形成电流复合，形成电流I IB B 多数扩散到集电结多数扩散到集电结发射结正偏发射结正偏, ,发射发射区电子不断向基区电子不断向基区扩散，形成发区扩散，形成发射

34、极电流射极电流I IE E。一、晶体管内部载流子的运动一、晶体管内部载流子的运动VCCRCIC从基区扩从基区扩散来的电散来的电子作为少子作为少子，漂移子，漂移进入集电进入集电区被收集，区被收集，形成形成IC。IEIBIE=IC+IBICBCII二、晶体管的电流分配关系二、晶体管的电流分配关系IC=ICN+ICBOIB=IBN+IEP ICBO=IB- ICBOIE=IEN+IEPIE=IC+IB三、晶体管的共射电流放大系数三、晶体管的共射电流放大系数ICN 与与 IB 之比称为之比称为直流直流电流放大电流放大系数系数BCCBOBCBOCBCNIIIIIIIICEOBCBOBCIIIII1BCI

35、IBEII1要使三极管能放大电流，必须使发射结正偏，集电结反偏。要使三极管能放大电流，必须使发射结正偏，集电结反偏。在前面电路的基础上，若有交流电压在前面电路的基础上，若有交流电压U UI I 输入，则在输入，则在IB 的基础上叠加动态电流的基础上叠加动态电流iB，在，在IC 的基础上叠加动态电流的基础上叠加动态电流iC， iC与与iB之比称为交流电流放大系数：之比称为交流电流放大系数：BCii在一定范围内在一定范围内IBIEIC总结：总结：IEICIBIBIE=IC+IBBCIIBEII 1BCII1.3.3 晶体管的共射特性曲线晶体管的共射特性曲线iCmA AVVUCEUBERbiBVCC

36、VBB 实验线路实验线路RCbBBBEBRiVuCCCCECRiVu一、一、输入特性曲线输入特性曲线UCE 1VIB( A)UBE(V)204060800.40.8导通压降：导通压降：硅管硅管U UBE BE 0.60.8V,0.60.8V,锗管锗管U UBE BE 0.10.3V0.10.3VUCE=0VUCE =0.5V开启电压：开启电压：硅管硅管0.5V0.5V，锗管锗管0.1V0.1V。常数CEUBEBufi二、二、输出特性曲线输出特性曲线iC(mA )1234UCE(V)36912IB=020 A40 A60 A80 A100 A放大区放大区I IC C= =I IB B截止区截止区

37、,IB0,IC0常数BICECufi饱和区饱和区ICIBCCCCECRiVu临界饱和临界饱和UCE=UBEUBC=0输出特性三个区域的特点输出特性三个区域的特点:(1) 截止区：截止区：发射结反偏发射结反偏UBEUON , UCEUBE IE=IC+IB， IC= IB , 且且 IC = IB(3) 饱和区：饱和区：发射结正偏，集电结正偏。发射结正偏，集电结正偏。UBEUON , UCE UBE IC IB，UCE 0.3V 临界饱和时，临界饱和时， UCE=UBE UBC=0倒置状态倒置状态（反偏状态）：发射结反偏；（反偏状态）：发射结反偏；集电结正偏。即集电结正偏。即c、e互换，互换，I

38、E=IB， Ic=IE+IB,但是但是=0.010.02bec例例1： =50， VCC =12V， Rb =70k ，RC =6k ，UBE=0.7V 分析分析VBB = -2V，2V，5V时晶体时晶体管的工作状态。管的工作状态。解：解：当当VBB = -2V时：时：UBEVON，晶体管导通晶体管导通9mA01. 0707 . 02bBEBBBRUVI0.95mA9mA01050.IIBCmA2612maxCCCCRVIIC最大饱和电流：最大饱和电流：ICVON，晶体管导通晶体管导通mA2maxCIIC最大饱和电流：最大饱和电流：IC ICmax 工作在饱和区工作在饱和区。mA061. 07

39、07 . 05bBEBBBRUVI5mA03mA061050.IIBCCCCCECRiVuVKV3 . 6mA05. 3612或者：假设工作在放大区或者：假设工作在放大区假设错误，工作在饱和区假设错误，工作在饱和区。1.3.4 晶体管的主要参数晶体管的主要参数共射直流电流放大倍数：共射直流电流放大倍数：BCII_工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为的交流信号。基极电流的变化量为 IB，相应的集相应的集电极电流变化为电极电流变化为 IC，则交流电流放大倍数为：则交流电流放大倍数为：BiiC1. 电流放大倍数电流放大

40、倍数和和 _例：例：UCE=6V时时：IB = 40 A, IC =1.5 mA； IB = 60 A, IC =2.3 mA。5 .3704. 05 . 1_BCII4004. 006. 05 . 13 . 2BCii在以后的计算中，一般在以后的计算中，一般作近似处理：作近似处理： =3 .3806. 03 . 2_BCII2.集集- -基极反向饱和电流基极反向饱和电流ICBOICBO是发射极开路时，集电结反偏由少子的漂移形是发射极开路时，集电结反偏由少子的漂移形成的成的反向饱和电流。反向饱和电流。受温度变化的影响较大。受温度变化的影响较大。 AICBO3. 基极开路时基极开路时, ,集集-

41、 -射极间的穿透电流射极间的穿透电流ICEObecNNPICBOICEO= IBP+ICBO =(1+ ) ICBO IBP IBPICBO进入进入N区，区，形成形成IBP根据放大关系，根据放大关系，由于由于IBP的存在的存在, ,必有电流必有电流 IBP。集电结反集电结反偏有偏有ICBOICEO受温度影响很大受温度影响很大, ,当温度上升时，当温度上升时，ICEO增加很快，所以增加很快，所以IC也也相应增加。相应增加。三极管的三极管的温度特性较差温度特性较差。4.集电极最大电流集电极最大电流ICM集电极电流集电极电流IC大到一定程度时，会导致三极管大到一定程度时，会导致三极管的的 值下降，当

42、值下降，当 值下降到正常值的三分之二时的集值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为电极电流即为ICM。5.反向击穿电压反向击穿电压UCBO：发射极开路时：发射极开路时集电极集电极- -基极间的反向击穿电压基极间的反向击穿电压UCEO：基极开路时集电极：基极开路时集电极- -发射极间的反向击穿电压发射极间的反向击穿电压UEBO：集电极开路时发射极：集电极开路时发射极-基极间的反向击穿电压基极间的反向击穿电压6. 集电极最大允许功耗集电极最大允许功耗PCM集电极电流集电极电流IC 流过三极管所流过三极管所产生的功耗为产生的功耗为PC =ICUCEPC太大必定导太大必定导致结温上升致结温上升,所所

43、以以PC 有限制。有限制。PC PCMICUCEPCM=ICUCE=常数常数ICMU(BR)CEO安全工作区安全工作区1.3.5 温度对晶体管特性及参数的影响温度对晶体管特性及参数的影响1、对、对ICBO的影响：的影响：温度升高，温度升高， ICBO增大增大2、对输入特性的影响、对输入特性的影响3、对输出特性的影响、对输出特性的影响由由PNP型三极管组成的基本放大电路：型三极管组成的基本放大电路：ICIBVCCRbVBBcbeRCIEICU CE0UBEIB电源电压为负。同样具有三个区：电源电压为负。同样具有三个区：放大区放大区：发射结正偏，集电结反偏发射结正偏，集电结反偏饱和区饱和区：发射结

44、，集电结均正偏发射结，集电结均正偏截止区：截止区： |UBE| VONPNP特特性性曲曲线线1.3.6 光电三极管光电三极管光电三极管根据光照的强度来控制集电极电流的大小光电三极管根据光照的强度来控制集电极电流的大小光电三极管的等效电路、符号和外形光电三极管的等效电路、符号和外形光电三极管的输出特性曲线光电三极管的输出特性曲线1.4 场效应管场效应管场效应管是利用输入回路的电场效应来控制输出场效应管是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，它仅靠多数载流子导回路电流的一种半导体器件，它仅靠多数载流子导电电,又称单极型晶体管。又称单极型晶体管。场效应管不但具有双极型晶体管体积小、重量轻、场效应管不但具有双极型晶体管体积小、重量轻、寿命长等优点，而且具有寿命长等优点，而且具有输入阻抗高、噪声低、热输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、能耗低稳定性好、抗辐射能力强、能耗低等优点。等优点。结型场效应管结型场效应管:JFET绝缘栅型场效应管绝缘栅型场效应管:MOS场效应管有两种场效应管有两种:1.4.1 结型场效应管结型场效应管结型场效应管的结构结型场效应管的结构栅极栅极源极源极漏极漏极结构示意图和符号：结构示意图和符号：N