CMOS模拟集成电路设计_ch3单级放大器.ppt

CMOS模拟集成电路设计,单级放大器,2019/6/27,提纲,2,提纲,1、共源级放大器 2、共漏级放大器（源跟随器） 3、共栅级放大器 4、共源共栅级放大器,2019/6/27,3,2019/6/27,共源级放大器,4,1、共源级放大器,1.1 电阻做负载的共源级放大器 大信号分析,MOS管工作在饱和区时,2019/6/27,共源级放大器,5,小信号分析,考虑沟道长度调制时，,2019/6/27,共源级放大器,6,讨论 增益对信号电平的依赖关系导致了非线性,增大W/L、或增大VRD、或减小ID，都可以提高Av。 但是， 较大的器件尺寸，导致较大的器件电容。 较高的VRD会限制最大电压摆幅。 若VRD保持常数，减小ID，则必须增大RD，导致更大的输出节点时间常数。,2019/6/27,共源级放大器,7,1.2 MOS二极管连接做负载的共源级 MOS二极管连接,二极管连接的阻抗为,二极管连接的阻抗为,考虑体效应时,2019/6/27,共源级放大器,8,增益 NMOS二极管连接做负载,其中,没有体效应,PMOS二极管连接做负载,2019/6/27,9,另一种二极管连接nmos管做负载的结构 优点？ 缺点？,2019/6/27,10,另一种二极管连接nmos管做负载的结构 电流镜只采用nmos 没有体效应 增益精确 好的PSRR 两倍功耗,2019/6/27,共源级放大器,11,讨论 增益与输入信号无关，是器件尺寸的弱函数。 高增益要求会造成晶体管的尺寸不均衡。,例：为了达到10倍增益， ，则(W/L)1=50(W/L)2,在这个例子中，M2的过驱动电压应该是M1的过驱动电压的10倍。 若VGS1-VTH1=200mV，|VTH2|=0.7V，|VGS2|=2.7V，严重制约输出电压摆幅。,允许的输出电压摆幅减小。,2019/6/27,共源级放大器,12,1.3 电流源负载的共源级放大器 讨论 获得更大的增益 M2的输出阻抗与所要求的M2的最小|VDS|之间联系较弱，因此对输出摆幅的限制较小。 长沟器件可以产生高的电压增益。 同时增加W、L将引入更大的节点电容。 ID AV ,考虑沟道长度调制，,2019/6/27,共源级放大器,13,1.4 带源级负反馈的共源级放大器 小信号直接分析方法,这里，没有考虑体效应和沟道长度调制效应,讨论 增加源级负反馈电阻，使增益是gm的弱函数，实现线性的提高。 线性化的获得是以牺牲增益为代价的。当gmRS1, AVRD/RS,2019/6/27,共源级放大器,14,考虑沟道长度调制及体效应时，电路的交流小信号模型为,2019/6/27,共源级放大器,15,小信号等效分析,辅助定理：在线性电路中，电压增益等于-GmRout，其中Gm表示输出与地短接时电路的跨导；Rout表示当输入电压为零时电路的输出电阻。,线性电路的输出端口可用诺顿定理来等效，可得，输出电压为-IoutRout，定义Gm=Iout/Vin，可得Vout=-GmVinRout。,Gm? Rout?,诺顿定理：线性有源单口网络等效电流源的恒流源等于有源单口网络的短路电流，内阻等于网络中所有独立源不激励时的端口电阻。,2019/6/27,共源级放大器,16,计算Gm,（考虑沟道长度调制及体效应),由于 ，所以,因此，,2019/6/27,共源级放大器,17,计算Rout,计算流经ro的电流,带入V1，得到：,得到,所以，,输出电阻增大！,2019/6/27,共源级放大器,18,计算Av,Av=-Gm(Rout|RD),若忽略rO和gmb的影响，即rO和gmb=0,2019/6/27,共漏级放大器,19,2、共漏级放大器（源跟随器）,大信号分析 当VinVTH时，M1处于截止状态，Vout等于零；,Vin增大并超过VTH，M1导通进入饱和区；,Vin进一步增大， Vout跟随Vin的变化，且两者之差为VGS。,2019/6/27,共漏级放大器,20,小信号分析,考虑体效应,讨论 增益1； 当VinVTH时，增益从零开始单调增大； 随gm变大，Av接近gm/(gm+gmb)=1/(1+)， = gm/gmb随Vout增大而减小(VSB增加)，所以Av趋近1。,2019/6/27,共漏级放大器,21,采用电流源的源跟随器,戴维南等效,小信号分析（另外一种方法）,当rO2=，即考查本征增益,本征增益,2019/6/27,共漏级放大器,22,考虑M1、M2的沟道长度效应，并驱动电阻负载，,更一般的情况，考虑晶体管的输出电阻、体效应以及输出负载的情况,2019/6/27,共漏级放大器,23,讨论 即使源跟随器采用理想电流来偏置，输入输出特性仍呈现一些非线性。 将衬底和源连接在一起，就可以消除由体效应带来的非线性。对于N阱工艺，可采用PMOS来实现。 源跟随器使信号直流电平产生VGS的移动，会消耗电压余度。,2019/6/27,共栅级放大器,24,3、共栅级放大器,大信号分析 （Vin从某一个大值开始减少） 当VinVbVTH时， M1处于关断状态，VoutVDD,当Vin较小时，且M1处于饱和区，,当Vin即一步减小，Vout也逐步减小， 最终M1进入线性区，此时，,2019/6/27,共栅级放大器,25,由大信号分析得到小信号增益 当M1处于饱和区时（忽略沟道长度调制）,讨论：增益是正值； 体效应使共栅极的等效跨导变大了； 共栅极放大器的输入阻抗较小。,因此，,而,得到，,2019/6/27,共栅级放大器,26,小信号分析 （考虑晶体管的输出电阻rO及信号的阻抗Rs） 增益,2019/6/27,共栅级放大器,27,输入阻抗,有，,因为,若,则，,2019/6/27,共栅级放大器,28,输出阻抗 与计算带负反馈的共源级放大器的输出电阻情况一致。,因此，输出电阻，,2019/6/27,共源共栅级放大器,29,4、共源共栅级放大器,偏置条件 使M1，M2都处于饱和区，,大信号分析,VinVTH1，M1，M2处于截止状态， Vout=VDD，且VxVbVTH2（忽略亚阈值导通）,VinVTH1，开始出现电流，Vout下降， Vx下降。,如果Vin足够大，M1或M2将进入线性区。 （与器件尺寸、RD及Vb有关）,2019/6/27,共源共栅级放大器,30,小信号分析 增益,两个集体管均工作在饱和区； 若0，由于输入管产生的漏电流必定流过整个共源共栅极电路，所以，,Av=Vout/Vin=-gm1V1RD/Vin,当忽略沟道长度调制效应时，共源共栅级放大器的电压增益与共源级放大器的电压增益相同。,Av=Vout/Vin=-gm1RD,而V1=Vin，所以,2019/6/27,共源共栅级放大器,31,输出阻抗,（考虑两管的沟道长度调制效应）,电路可以看成带负反馈rO1的共源级， 因此，,2019/6/27,共源共栅级放大器,32,讨论,精确电压增益计算见教材例3.15，留给同学自学。,Rout（gm2gmb2）rO1rO2，可见M2将M1的输出电阻提高了（gm2gmb2）rO2倍。,具有屏蔽特性。屏蔽输入器件，不受输出结点影响。,根据线性电路电压增益等于-GmRout，增大Rout可以提高增益。,例子： 粗略计算， ，,得到,2019/6/27,共源共栅级放大器,33,讨论（续） 可用来构成恒定电流源。 高的输出阻抗提供一个接近理想的电流源。 采用PMOS的共源共栅结构，电流源的 表现的输出阻抗为,因此，,而Gmgm1，所以，电压增益近似等于,消耗较大的电压余度，采用共源共栅电流源的共源共栅放大器的最大输出摆幅,2019/6/27,共源共栅级放大器,34,折叠式共源共栅放大器 所谓“折叠”针对小信号电流。小信号分析与共源共栅放大器一致。 为了获得相当的性能，折叠式共源共栅放大器的总偏置电流应该比共源共栅放大器的大。,2019/6/27,共源共栅级放大器,35,大信号分析,如果VinVDD-|VTH1|，M1截止，电流I1全部通过M2，有V