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文档简介

数字电子技术(第二版),李中发 制作 中国水利水电出版社,第2章 门电路,学习要点 掌握各种TTL门电路和CMOS门电路的逻辑功能。 理解TTL门电路的主要参数及TTL电路与CMOS电路的主要差异。 了解二极管、双极型晶体管和MOS管的开关特性, 了解门电路的使用常识,集电极开路门、三态门、传输门等电路及功能。,第2章 门电路,2.1 半导体元件的开关特性,2.2 分立元件门电路,2.3 TTL集成门电路,2.4 CMOS集成门电路,2.5 集成门电路的使用,退出,2.1 半导体元件的开关特性,获得高、低电平的基本方法:利用半导体开关元件的导通、截止(即开、关)两种工作状态。,逻辑0和1: 电子电路中用高、低电平来表示。,2.1.1 二极管的开关特性,逻辑门电路:用以实现基本和常用逻辑运算的电子电路。简称门电路。,基本和常用门电路有与门、或门、非门(反相器)、与非门、或非门、与或非门和异或门等。,二极管符号:,正极,负极, uD ,uo,uo,ui0V时,二极管截止,如同开关断开,uo0V。,ui5V时,二极管导通,如同0.7V的电压源,uo4.3V。,二极管的反向恢复时间限制了二极管的开关速度。,Ui0.5V时,二极管截止,iD=0。,Ui0.5V时,二极管导通。,2.1.2 晶体管的开关特性,截止状态,饱和状态,iBIBS,ui=UIL0.5V,uo=+VCC,ui=UIH,uo=0.3V,饱和区,截止区,放,大,区,ui=0.3V时,因为uBE0.5V,iB=0,三极管工作在截止状态,ic=0。因为ic=0,所以输出电压:,ui=1V时,三极管导通,基极电流:,因为0iBIBS,三极管工作在放大状态。iC=iB=500.03=1.5mA,输出电压:,三极管临界饱和时的基极电流:,uo=uCE=UCC-iCRc=5-1.51=3.5V,uo=VCC=5V,ui3V时,三极管导通,基极电流:,而,因为iBIBS,三极管工作在饱和状态。输出电压:,uoUCES0.3V,工作原理电路,转移特性曲线,输出特性曲线,截止状态,uiUT,uo=+VDD,导通状态,uiUT,uo0,2.1.3 场效应管的开关特性,2.2 分立元件门电路,2.2.1 二极管与门,Y=AB,Y=A+B,2.2.2 二极管或门,uA0V时,三极管截止,iB0,iC0,输出电压uYVCC5V,uA5V时,三极管导通。基极电流为:,iBIBS,三极管工作在饱和状态。输出电压uYUCES0.3V。,三极管临界饱和时的基极电流为:,2.2.3 晶体管非门,当uA0V时,由于uGSuA0V,小于开启电压UT,所以MOS管截止。输出电压为uYVDD10V。,当uA10V时,由于uGSuA10V,大于开启电压UT,所以MOS管导通,且工作在可变电阻区,导通电阻很小,只有几百欧姆。输出电压为uY0V。,2.3 TTL集成门电路,2.3.1 TTL与非门,输入信号不全为1:如uA=0.3V, uB=3.6V,1V,则uB1=0.3+0.7=1V,T2、T5截止,T3、T4导通,忽略iB3,输出端的电位为:,输出Y为高电平。,uY50.70.73.6V,输入信号全为1:如uA=uB=3.6V,2.1V,则uB1=2.1V,T2、T5导通,T3、T4截止,输出端的电位为:,uY=UCES0.3V,输出Y为低电平。,功能表,真值表,逻辑表达式,输入有低,输出为高;输入全高,输出为低。,74LS00内含4个2输入与非门,74LS20内含2个4输入与非门。,A=0时,T2、T5截止,T3、T4导通,Y=1。,A=1时,T2、T5导通,T3、T4截止,Y=0。,TTL非门,2.3.2 其他功能的TTL门电路,A、B中只要有一个为1,即高电平,如A1,则iB1就会经过T1集电结流入T2基极,使T2、T5饱和导通,输出为低电平,即Y0。,AB0时,iB1、iB1均分别流入T1、T1发射极,使T2、T2、T5均截止,T3、T4导通,输出为高电平,即Y1。,TTL或非门,A和B都为高电平(T2导通)、或C和D都为高电平(T2导通)时,T5饱和导通、T4截止,输出Y=0。,A和B不全为高电平、并且C和D也不全为高电平(T2和T2同时截止)时,T5截止、T4饱和导通,输出Y=1。,TTL与或非门,与门,或门,异或门,问题的提出:,为解决一般TTL与非门不能线与而设计的。,A、B不全为1时,uB1=1V,T2、T3截止,Y=1。,接入外接电阻R后:,A、B全为1时,uB1=2.1V,T2、T3饱和导通,Y=0。,外接电阻R的取值范围为:,OC门,2.3.3 TTL集电极开路门和三态门,TSL门,E0时,二极管D导通,T1基极和T2基极均被钳制在低电平,因而T2T5均截止,输出端开路,电路处于高阻状态。,结论:电路的输出有高阻态、高电平和低电平3种状态。,TSL门的应用:,构成数据总线:让各门的控制端轮流处于低电平,即任何时刻只让一个TSL门处于工作状态,而其余TSL门均处于高阻状态,这样总线就会轮流接受各TSL门的输出。,TTL系列集成电路,74:标准系列,前面介绍的TTL门电路都属于74系列,其典型电路与非门的平均传输时间tpd10ns,平均功耗P10mW。,74H:高速系列,是在74系列基础上改进得到的,其典型电路与非门的平均传输时间tpd6ns,平均功耗P22mW。,74S:肖特基系列,是在74H系列基础上改进得到的,其典型电路与非门的平均传输时间tpd3ns,平均功耗P19mW。,74LS:低功耗肖特基系列,是在74S系列基础上改进得到的,其典型电路与非门的平均传输时间tpd9ns,平均功耗P2mW。74LS系列产品具有最佳的综合性能,是TTL集成电路的主流,是应用最广的系列。,2.3.4 TTL集成电路的主要参数,TTL与非门主要参数,(1)输出高电平UOH:TTL与非门的一个或几个输入为低电平时的输出电平。产品规范值UOH2.4V,标准高电平USH2.4V。 (2)高电平输出电流IOH:输出为高电平时,提供给外接负载的最大输出电流,超过此值会使输出高电平下降。IOH表示电路的拉电流负载能力。 (3)输出低电平UOL:TTL与非门的输入全为高电平时的输出电平。产品规范值UOL0.4V,标准低电平USL0.4V。 (4)低电平输出电流IOL:输出为低电平时,外接负载的最大输出电流,超过此值会使输出低电平上升。IOL表示电路的灌电流负载能力。 (5)扇出系数NO:指一个门电路能带同类门的最大数目,它表示门电路的带负载能力。一般TTL门电路NO8,功率驱动门的NO可达25。 (6)最大工作频率fmax:超过此频率电路就不能正常工作。,(7)输入开门电平UON:是在额定负载下使与非门的输出电平达到标准低电平USL的输入电平。它表示使与非门开通的最小输入电平。一般TTL门电路的UON1.8V。 (8)输入关门电平UOFF:使与非门的输出电平达到标准高电平USH的输入电平。它表示使与非门关断所需的最大输入电平。一般TTL门电路的UOFF0.8V。 (9)高电平输入电流IIH:输入为高电平时的输入电流,也即当前级输出为高电平时,本级输入电路造成的前级拉电流。 (10)低电平输入电流IIL:输入为低电平时的输出电流,也即当前级输出为低电平时,本级输入电路造成的前级灌电流。 (11)平均传输时间tpd:信号通过与非门时所需的平均延迟时间。在工作频率较高的数字电路中,信号经过多级传输后造成的时间延迟,会影响电路的逻辑功能。 (12)空载功耗:与非门空载时电源总电流ICC与电源电压VCC的乘积。,2.4 CMOS集成门电路,2.4.1 CMOS非门,(1)uA0V时,TN截止,TP导通。输出电压uYVDD10V。 (2)uA10V时,TN导通,TP截止。输出电压uY0V。,A、B当中有一个或全为低电平时,TN1、TN2中有一个或全部截止,TP1、TP2中有一个或全部导通,输出Y为高电平。,只有当输入A、B全为高电平时,TN1和TN2才会都导通,TP1和TP2才会都截止,输出Y才会为低电平。,2.4.2 其他功能的CMOS门电路,CMOS与非门,CMOS或非门,只要输入A、B当中有一个或全为高电平,TP1、TP2中有一个或全部截止,TN1、TN2中有一个或全部导通,输出Y为低电平。,只有当A、B全为低电平时,TP1和TP2才会都导通,TN1和TN2才会都截止,输出Y才会为高电平。,与门,或门,CMOS与或非门,CMOS异或门,2.4.3 CMOS漏极开路门、三态门和传输门,CMOS OD门,CMOS TSL门,CMOS 传输门,C0、 ,即C端为低电平(0V)、 端为高电平(VDD)时, TN和TP都不具备开启条件而截止,输入和输出之间相当于开关断开一样。 C1、 ,即C端为高电平(VDD)、 端为低电平(0V)时,TN和TP都具备了导通条件,输入和输出之间相当于开关接通一样,uoui。,(1)CMOS电路的工作速度比TTL电路的低。 (2)CMOS带负载的能力比TTL电路强。 (3)CMOS电路的电源电压允许范围较大,约在318V,抗干扰能力比TTL电路强。 (4)CMOS电路的功耗比TTL电路小得多。门电路的功耗只有几个W,中规模集成电路的功耗也不会超过100W。 (5)CMOS集成电路的集成度比TTL电路高。 (6)CMOS电路适合于特殊环境下工作。 (7)CMOS电路容易受静电感应而击穿,在使用和存放时应注意静电屏蔽,焊接时电烙铁应接地良好,尤其是CMOS电路多余不用的输入端不能悬空,应根据需要接地或接高电平。,2.4.4 CMOS集成电路的特点,2.5 集成门电路的使用,2.5.1 集成电路使用时的注意事项,(1)对于各种集成电路,使用时一定要在推荐的工作条件范围内,否则将导致性能下降或损坏器件。,(2)数字集成电路中多余的

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