大晶粒多晶硅片及电池片光衰分析.ppt

大晶粒多晶硅片及电池片光衰分析,电池研发 余可 2011年06月,实验概述,1,实验内容：分析大晶粒多晶硅片及电池片光衰； 实验仪器：3&4线RENA制绒、WT2000-PVN、3D显微 镜、MS203、2线 Berger测试机、光衰仪； 实验样品：掺B单晶硅片、 V级掺B大晶粒多晶硅片、 M级掺B大晶粒多晶硅片、大晶粒面积占50%的掺B多晶硅片；1档12档2线大晶粒多晶硅电池片；,大颗粒多晶硅片光衰分析,实验流程,2,光衰光强：10倍标准光强 光衰总时间：24h,3D显微镜绒面形貌,3,大晶粒多晶硅片制绒片,4,M级酸制绒片,50%大晶粒面积酸制绒片,V级酸制绒片,M级大颗粒多晶硅片光衰减WT2000少子寿命图,5,制绒片 2.322s,光衰2h 1.81s,光衰4h 2.04 s,光衰6h 1.779 s,光衰24h 1.879 s,光衰8h 1.927 s,A,B,A区 电阻率1.35cm 少子寿命2.15 s B区 电阻率1.30 cm 少子寿命1.65 s,24h光衰后，少子寿命下降19%,50%大颗粒多晶硅片光衰减WT2000少子寿命图,6,制绒片 2.694s,光衰2h 1.949 s,光衰4h 2.105 s,光衰6h 1.857s,光衰8h 2.076 s,光衰24h 1.984 s,A,B,A区 电阻率1.50cm 少子寿命2.45 s B区 电阻率1.45 cm 少子寿命1.65 s,24h光衰后，少子寿命下降26%,V级大颗粒多晶硅片光衰减WT2000少子寿命图,7,制绒片 3.062s,光衰2h 2.048s,光衰4h 2.189s,光衰6h 1.916s,光衰8h 2.086s,光衰24h 2.037s,A,B,A区 电阻率1.69cm 少子寿命2.27 s B区 电阻率1.68 cm 少子寿命1.68s,24h光衰后，少子寿命下降33%,单晶硅片光衰减WT2000少子寿命图,8,制绒片 2.156 s,光衰2h 1.733 s,光衰4h 1.804 s,光衰6h 1.602 s,光衰8h 1.742 s,光衰24h 1.633 s,A,B,A区 电阻率1.33cm 少子寿命 1.55s B区 电阻率1.38 cm 少子寿命1.78 s,24h光衰后，少子寿命下降24%,电阻率和少子寿命随光衰时间变化曲线,9,V级大晶粒多晶硅片电阻率最高，少子寿命最长。 常温暗室放置20h，少子寿命上升，由于Fe含量较高所致,10,电阻率越高，少子寿命光衰越严重,大颗粒多晶硅电池片光衰分析,实验流程,11,光衰光强：10倍标准光强 光衰总时间：24h,1档12档大晶粒多晶硅电池片光衰分析,12,光衰导致漏电上升 光衰导致串联电阻上升，并联电阻下降,光衰2h,13,光衰导致效率、Voc、Isc下降 短时间光衰，112档位电池片效率变化差异较小,2档、9档大晶粒多晶硅电池片光衰分析,光衰24h,14,光衰初期，效率下降较明显 24h光衰后，2档效率下降3.3%，9档效率下降3.2%， 无明显差异,主要电性能参数光衰结果,光衰初期，Voc、Isc下降较明显,结论,大晶粒多晶硅片电阻率越高，少子寿命光衰越严重； 大晶粒多晶硅片电阻率高，少子寿命高； 光衰初期，各档位大晶粒多晶硅电池片效率衰减